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一种半导体硅片的双面研磨设备
摘要文本
本发明公开一种半导体硅片的双面研磨设备,包括支撑架、工作台、下研磨机构和上研磨机构和喷水机构,通过第一驱动组件和第二驱动组件,能够对下研磨组件和上研磨组件完成调速工作,使得下研磨组件和上研磨组件能够更好地对硅片的两面进行研磨工作,并且在调速的过程中,无需改变电流和电压的大小,从而有效地保护了设备;在调速的过程中,第一驱动组件会带动第三圆杆、三个连接圆杆、三个压球旋转,使得三个压球有序地挤压U型软管,形成蠕动的现象,方便U型软管抽取储液箱内部的研磨液,并且随着第三圆杆的转速变化,抽取研磨液的速率也会跟随改变,从而能够有效地对研磨的半导体硅片进行降温工作和研磨工作,提高研磨效率。
申请人信息
- 申请人:苏州齐芯技术服务合伙企业(有限合伙)
- 申请人地址:215000 江苏省苏州市吴中区木渎镇枫瑞路118号401室
- 发明人: 苏州齐芯技术服务合伙企业(有限合伙)
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种半导体硅片的双面研磨设备 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311651823.6 |
| 申请日 | 2023/12/5 |
| 公告号 | CN117484378A |
| 公开日 | 2024/2/2 |
| IPC主分类号 | B24B37/08 |
| 权利人 | 苏州齐芯技术服务合伙企业(有限合伙) |
| 发明人 | 谢卫国; 王茜 |
| 地址 | 江苏省苏州市吴中区木渎镇枫瑞路118号401室 |
专利主权项内容
1.一种半导体硅片的双面研磨设备,包括支撑架(1)、工作台(9)、下研磨机构、上研磨机构和喷液机构,其特征在于:所述工作台(9)上设有用于对半导体硅片下表面研磨的下研磨机构,所述工作台(9)的上表面中部焊接有支撑架(1),所述支撑架(1)上设有用于对半导体硅片上表面研磨的上研磨机构,所述上研磨机构的下侧外壁和工作台(9)的后端面上设有用于研磨降温和研磨工作的喷液机构。