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一种三维半导体结构、三维电容器及其制备方法
摘要文本
本发明提供了一种三维半导体结构、三维电容器及其制备方法，所述的三维半导体结构，包括以下结构：第一导电层；位于所述第一导电层表面且与所述第一导电层至少部分保形接触的介质层；位于所述介质层表面且与所述介质层至少部分保形接触的第二导电层；所述第一导电层包括相互电接触的金属图案化层和网格状导电层，所述第一导电层具有多个凸起结构。本发明的三维电容由于具有很好的导电和散热性能，在高功率和高温应用场景中具有优势，可获得更大的功率耐受能力和更宽的工作温度范围。
申请人信息
- 申请人:宜确半导体(苏州)有限公司
- 申请人地址:215000 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道88号人工智能产业园E3-801室
- 发明人: 宜确半导体(苏州)有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种三维半导体结构、三维电容器及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311551122.5 |
| 申请日 | 2023/11/21 |
| 公告号 | CN117374055A |
| 公开日 | 2024/1/9 |
| IPC主分类号 | H01L23/64 |
| 权利人 | 宜确半导体(苏州)有限公司 |
| 发明人 | 陈俊; 池瑶佳 |
| 地址 | 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道88号人工智能产业园E3-801室 |
专利主权项内容
1.一种三维半导体结构，包括以下结构：第一导电层；位于所述第一导电层表面且与所述第一导电层至少部分保形接触的介质层；位于所述介质层表面且与所述介质层至少部分保形接触的第二导电层；其特征在于，所述第一导电层包括相互电接触的金属图案化层和网格状导电层，所述第一导电层为具有多个凸起结构。