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一种适用于高热导率氮化铝陶瓷的排胶方法

申请号: CN202311585376.9
申请人: 苏州众芯联电子材料有限公司
申请日期: 2023/11/24

摘要文本

本发明公开了一种适用于高热导率氮化铝陶瓷的排胶方法,包括以下步骤:S1)将坯体放入烘箱中进行预处理;S2)预处理放入密闭的气氛炉中进行排胶,气氛炉升温前对其内部抽真空,并在抽真空后充入氮气;3)气氛炉内氧含量以及炉内压力达到设定值后,向气氛炉内同时通入氧气与氮气;4)开始升温,将所述气氛炉内的温度上升至300~500℃,并限时保温;S5)保温结束后,关闭氧气通入的入口,保留氮气通入的入口;S6)关闭整个气氛炉的加热程序,使气氛炉内的坯体随炉冷却;S7)当气氛炉内温度低于70℃时,关闭氮气通入的入口,并取出坯体。本发明能够有效地降低因排胶工序导致的坯体被氧化程度,降低排胶工艺的难度,缩短排胶工序的时长。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种适用于高热导率氮化铝陶瓷的排胶方法
专利类型 发明申请
申请号 CN202311585376.9
申请日 2023/11/24
公告号 CN117550902A
公开日 2024/2/13
IPC主分类号 C04B35/638
权利人 苏州众芯联电子材料有限公司
发明人 王洋; 张立祥
地址 江苏省苏州市吴中区甪直镇迎宾西路988号6幢101-102-201-202室

专利主权项内容

1.一种适用于高热导率氮化铝陶瓷的排胶方法,其特征在于:包括以下步骤:S1)将氮化铝陶瓷坯体放入烘箱中进行预处理;S2)经过预处理后的氮化铝陶瓷坯体放入密闭的气氛炉中,进行排胶,所述气氛炉升温前对其内部抽真空,并在抽真空后充入氮气;S3)当S2中的气氛炉内氧含量以及炉内压力达到设定值后,向气氛炉内同时通入氧气与氮气;S4)当S3中需要通入的气体参数设置完毕后,开始升温,将所述气氛炉内的温度上升至300~500℃,并限时保温;S5)保温结束后,关闭氧气通入的入口,保留氮气通入的入口,并将气氛炉内的温度继续升高至700~850℃,并限时保温;S6)当5中的保温程序结束后,关闭整个气氛炉的加热程序,使气氛炉内的氮化铝陶瓷坯体随炉冷却,但氮气保持持续通入状态,直至气氛炉内的温度低于70℃;S7)当气氛炉内温度低于70℃时,关闭氮气通入的入口,并取出氮化铝陶瓷坯体。