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一种对称结构型氧传感器芯片及其制造方法
摘要文本
本发明公开了一种对称结构型氧传感器芯片及其制造方法，芯片包括基体层、绝缘层以及加热器层；基体层和所述绝缘层以加热器层所在位置为对称轴，构成一个紧密结合的对称结构，不论是在烧结成型过程中的应力释放，还是后续使用过程中的热胀冷缩应力释放，均可以形成一个相对对称且均匀的应力释放，芯片的弯曲度有很大的改善，芯片的变形度基本能控制在0.1mm以内, 大大降低组装过程中的断片现象，也可以降低使用过程中的开裂现象。
申请人信息
- 申请人:苏州工业园区福特斯汽车电子有限公司
- 申请人地址:215000 江苏省苏州市工业园区唯亭镇展业路2号
- 发明人: 苏州工业园区福特斯汽车电子有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种对称结构型氧传感器芯片及其制造方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202311314202.9 |
| 申请日 | 2023/10/11 |
| 公告号 | CN117309961B |
| 公开日 | 2024/2/6 |
| IPC主分类号 | G01N27/26 |
| 权利人 | 苏州工业园区福特斯汽车电子有限公司 |
| 发明人 | 陈荣浪; 骆楼福; 冯世康 |
| 地址 | 江苏省苏州市工业园区唯亭镇展业路2号 |
专利主权项内容
1.一种对称结构型氧传感器芯片，其特征在于，包括：基体层、绝缘层以及加热器层；所述基体层和所述绝缘层以所述加热器层所在位置为对称轴，构成一个紧密结合的对称结构，将所述加热器层包裹在中间；所述基体层包括四层，从上至下分别为第一基体层、第二基体层、第三基体层和第四基体层；所述绝缘层包括上绝缘层和下绝缘层，二者设于所述第二基体层与所述第三基体层之间；所述加热器层设于所述上绝缘层与所述下绝缘层之间；所述第二基体层的上方设有气道层，所述第一基体的上表面设有外电极层，所述第一基体层与所述第二基体层之间设有内电极层，所述外电极层的顶部设有用于隔离气体及保护所述外电极层的保护层，所述第一基体层与所述外电极层之间设有第一绝缘层，所述第四基体层的外侧设有端头引线，所述端头引线与所述第四基体层之间设有第二绝缘层；所述基体层为含有莫来石和氧化铝的氧化锆膜片；所述绝缘层为氧化铝绝缘层。