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金属基传感器静态性能测试装置及系统

申请号: CN202311377075.7
申请人: 苏州大学
申请日期: 2023/10/23

摘要文本

本发明涉及金属基传感器静态性能测试装置及系统,包括第一套筒、第二套筒、压头和第一传递介质;第一套筒包括第一端面,第一端面上设置有容置孔,容置孔的孔底设置有贯通第一套筒的第一筒孔;第二套筒包括第二端面,第二端面与第一端面抵接;第二端面上开设有贯通第二套筒的第二筒孔,第二筒孔与第一筒孔同轴设置;压头能够移动的设置在第二筒孔内;第一传递介质设置在第二筒孔内。本发明所述的金属基传感器静态性能测试装置及系统,通过第一传递介质传递压头的压力并形成密封,对密封性要求低,具有更高的安全性,操作更简单、测试成本更低。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 金属基传感器静态性能测试装置及系统
专利类型 发明申请
申请号 CN202311377075.7
申请日 2023/10/23
公告号 CN117589366A
公开日 2024/2/23
IPC主分类号 G01L27/00
权利人 苏州大学
发明人 王春举; 钱达; 陈立国; 贺海东; 孙立宁
地址 江苏省苏州市姑苏区十梓街1号

专利主权项内容

1.一种金属基传感器静态性能测试装置,用于金属基底MEMS膜流体电阻式压力传感器的静态性能测试,其特征在于,该金属基传感器静态性能测试装置包括:第一套筒,所述第一套筒包括第一端面,所述第一端面上设置有容置孔,所述容置孔用于容纳所述金属基底MEMS膜流体电阻式压力传感器,所述容置孔的孔径与所述金属基底MEMS膜流体电阻式压力传感器的轮廓外径一致,所述容置孔的孔底设置有贯通所述第一套筒的第一筒孔,所述第一筒孔的孔径与所述金属基底MEMS膜流体电阻式压力传感器的封装外径一致;第二套筒,所述第二套筒包括第二端面,所述第二端面与所述第一端面抵接、形成所述金属基底MEMS膜流体电阻式压力传感器的限位;所述第二端面上开设有贯通所述第二套筒的第二筒孔,所述第二筒孔的孔径与所述金属基底MEMS膜流体电阻式压力传感器的封装外径一致,所述第二筒孔与所述第一筒孔同轴设置;压头,所述压头能够移动的设置在所述第二筒孔内,所述压头用于为所述金属基底MEMS膜流体电阻式压力传感器施加压力;第一传递介质,所述第一传递介质设置在所述第二筒孔内,所述第一传递介质用于传递所述压头的压力至所述金属基底MEMS膜流体电阻式压力传感器,并形成所述第二筒孔的密封。