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一种可调电场多极化转换的微波器件
摘要文本
发明涉及一种可调电场多极化转换的微波器件，包括：多个阵列布设的超表面单元，超表面单元包括上导电环层、中间导电环层、下导电环层、上介质层以及下介质层。上导电环层水平设置且为封闭的环形结构且连接有用于控制上导电环层切换正反电压的通断部件、开设有在X方向断开的上缺口；中间导电环层中设有沿M方向断开的两个中间缺口；下导电环层水平设置在中间导电环层的下方；下导电环层上开设有沿Y方向断开的下缺口。Y方向与X方向垂直，M方向与Y方向的夹角为45°；上介质层位于上导电环层与中间导电环层之间；下介质层位于下导电环层与中间导电环层之间。本发明即能实现反射状态下的极化转换又能实现透射状态下的极化转换。
申请人信息
- 申请人:苏州大学
- 申请人地址:215000 江苏省苏州市吴江区久泳西路1号
- 发明人: 苏州大学
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种可调电场多极化转换的微波器件 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311420494.4 |
| 申请日 | 2023/10/30 |
| 公告号 | CN117394039A |
| 公开日 | 2024/1/12 |
| IPC主分类号 | H01Q15/00 |
| 权利人 | 苏州大学 |
| 发明人 | 张允晶; 杨恒; 李鹏; 李怡雯; 何兴理 |
| 地址 | 江苏省苏州市吴江区久泳西路1号 |
专利主权项内容
1.一种可调电场多极化转换的微波器件，其特征在于：包括：多个阵列布设的超表面单元，所述超表面单元包括：上导电环层，水平设置且为封闭的环形结构，所述上导电环层上连接有用于控制所述上导电环层切换正反电压的通断部件以及开设有在X方向断开的上缺口；中间导电环层，水平设置在所述上导电环层的下方且为封闭的环形结构，所述中间导电环层中设有沿M方向断开的两个中间缺口；下导电环层，水平设置在所述中间导电环层的下方，所述下导电环层在水平面中的正投影与所述上导电环层在水平面的正投影重合；所述下导电环层上开设有沿Y方向断开的下缺口；所述Y方向、所述X方向以及所述M方向，三者相较于同一个交点，且所述Y方向与所述X方向垂直，所述M方向与所述Y方向的夹角为45°；上介质层，位于所述上导电环层与所述中间导电环层之间，用于绝缘所述上导电环层与所述中间导电环层；下介质层，位于所述下导电环层与所述中间导电环层之间，用于绝缘所述下导电环层与所述中间导电环层。