标定InGaxAs/InAsSby超晶格组分的方法
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更多数据：搜索专利查询网来源： 本发明提供了一种标定InGaxAs/InAsSby超晶格组分的方法，通过生长两套周期不同的InGaxAs/InAsSby超晶格和两套周期不同的InGaAs/InAsSb/InAs超晶格得到InAs和GaAs的生长速率以及元素组分。其中，上述超晶格材料中的各层材料均处于完全应变状态，无需考虑弛豫度数值，由此能够彻底避免材料弛豫度对标定结果精确程度的影响，使得到的结果准确可靠，相比于现有测试技术来说，本发明具有操作简单、精度高、准确性好等显著优势。
申请人信息
- 申请人:苏州焜原光电有限公司
- 申请人地址:215211 江苏省苏州市吴江区黎里镇汾湖大道558号
- 发明人: 苏州焜原光电有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 标定InGaxAs/InAsSby超晶格组分的方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202311771457.8 |
| 申请日 | 2023/12/21 |
| 公告号 | CN117558644B |
| 公开日 | 2024/3/26 |
| IPC主分类号 | H01L21/66 |
| 权利人 | 苏州焜原光电有限公司 |
| 发明人 | 张国祯; 陈意桥; 于天 |
| 地址 | 江苏省苏州市吴江区黎里镇汾湖大道558号 |
专利主权项内容
1.标定InGaxAs/InAsSby超晶格组分的方法，其特征在于：包括如下步骤：S1、生长第一套InGaAs/InAsSb超晶格，其周期厚度为P1，生长第二套InGaAs/InAsSb超晶格，其周期厚度为P2，其中P≠P，且两套所述InGaAs/InAsSb均处于完全应变状态，分别得到InGaAs在应变状态下的生长速率V以及InAsSby在应变状态下的生长速率V，同时测量第一套InGaAs/InAsSb超晶格在应变状态下的平均晶格常数L及所述第二套InGaAs/InAsSb超晶格在应变状态下的平均晶格常数L；xyxy12xyx12xy1xy2S2、基于V、V、L、L、P以及P计算所述InGaAs在完全应变状态下的晶格常数L(InGaAs)及所述InAsSb在完全应变状态下的晶格常数L(InAsSb); 121212xRxyRyS3、根据S2结果，计算所述InGaxAs在完全弛豫状态下的晶格常数L(InGaAs)及所述InAsSb在完全弛豫状态下的晶格常数L(InAsSb)；SxySyS4、基于L(InGaAs)及L(InAsSb)计算Ga元素组分x、Sb组分y、In组分1-x以及As组分1-y，由此实现InGaAs/InAsSb复合超晶格中的元素组分标定。SxSyxy