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一种晶体管结构及其制作方法、芯片
摘要文本
本发明提供一种晶体管结构及其制作方法、芯片，该方法包括：提供一衬底基板；在衬底基板上制作外延缓冲层；在外延缓冲层上制作沟道层；在沟道层上制作势垒层；在势垒层上制作电极层，电极层包括栅极；制作非晶态氮化铝薄膜，非晶态氮化铝薄膜覆盖势垒层和电极层；对非晶态氮化铝薄膜进行晶态转换形成多晶态氮化铝薄膜；对多晶态氮化铝薄膜进行图案化，形成钝化层，钝化层覆盖势垒层和栅极的侧壁，势垒层包括的第一势垒部分，第一势垒部分在衬底基板上的正投影与电极层在衬底基板上的正投影不交叠。本发明中，先进行非晶态氮化铝的生成，再通过非晶态氮化铝薄膜向多晶态氮化铝薄膜转换，保证压电效应，从而保证器件饱和电流性能，改善漏电性能。
申请人信息
- 申请人:英诺赛科(苏州)半导体有限公司
- 申请人地址:215211 江苏省苏州市吴江区汾湖高新开发区新黎路98号
- 发明人: 英诺赛科(苏州)半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种晶体管结构及其制作方法、芯片 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202311843158.0 |
| 申请日 | 2023/12/29 |
| 公告号 | CN117497584B |
| 公开日 | 2024/3/19 |
| IPC主分类号 | H01L29/778 |
| 权利人 | 英诺赛科(苏州)半导体有限公司 |
| 发明人 | 刘成名; 桂亮亮; 方龑; 何有丰; 刘季锦花; 李康 |
| 地址 | 江苏省苏州市吴江区汾湖高新开发区新黎路98号 |
专利主权项内容
1.一种晶体管结构的制作方法，其特征在于，包括：提供一衬底基板；在所述衬底基板上制作外延缓冲层；在所述外延缓冲层上制作沟道层；在所述沟道层上制作势垒层；在所述势垒层上制作电极层，所述电极层包括栅极，所述栅极与所述势垒层接触；制作非晶态氮化铝薄膜，所述非晶态氮化铝薄膜覆盖所述势垒层和所述电极层，所述非晶态氮化铝薄膜完全覆盖所述栅极；对所述非晶态氮化铝薄膜进行晶态转换形成多晶态氮化铝薄膜；对所述多晶态氮化铝薄膜进行图案化，形成钝化层，所述钝化层覆盖所述势垒层中的第一势垒部分，且完全覆盖所述栅极的侧壁，所述势垒层包括的第一势垒部分，所述第一势垒部分在所述衬底基板上的正投影与所述电极层在所述衬底基板上的正投影不交叠。