一种分子束外延生长方法及气态锑源供给装置

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本发明提供了一种分子束外延生长方法及气态锑源供给装置，其采用锑烷作为气态锑源进行分子束外延生长，其中，锑烷包括SbH3及SbD3，具体包括：S1、使锑烷在预设温度下形成锑烷束流后进入MBE源炉内；S2、在MBE源炉内将锑烷升高至目标温度，使锑烷分解为锑束流及原子氢；S3、在衬底上进行分子束外延生长。本发明采用气态锑源进行分子束生长，不仅能够使锑化物材料的生长窗口不受工作环境、阀门开关重复性等因素影响，由此避免了上述因素导致超过1.5%的束流起伏，同时，其相比于固态源工况下的生长窗口能够增加一倍，基于此能够大大降低分子束外延工艺过程的难度，成倍提高产品良率，同时使外延材料的质量也能够显著提升。