← 返回列表
一种半导体器件及其制备方法
摘要文本
本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括：衬底；半导体外延层，位于衬底的一侧；其中，半导体外延层内具有二维电子气的异质结；半导体外延层包括栅极区以及位于栅极区相对两侧的漂移区；栅极结构，位于半导体外延层的栅极区；间隔层，位于半导体外延层的漂移区；硅元素供给层，位于间隔层远离衬底的一侧；阻挡层，位于栅极结构远离衬底的一侧以及栅极结构的侧壁；阻挡层用于阻挡硅元素供给层中的硅向栅极结构扩散。本发明提供的技术方案，有效的提高了2DEG浓度，减少导通电阻，提高器件工作效率的同时，降低了栅极泄露的概率。
申请人信息
- 申请人:英诺赛科(苏州)半导体有限公司
- 申请人地址:215000 江苏省苏州市吴江区汾湖高新开发区新黎路98号
- 发明人: 英诺赛科(苏州)半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种半导体器件及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202311843701.7 |
| 申请日 | 2023/12/29 |
| 公告号 | CN117497585B |
| 公开日 | 2024/3/5 |
| IPC主分类号 | H01L29/778 |
| 权利人 | 英诺赛科(苏州)半导体有限公司 |
| 发明人 | 刘成名; 高钒; 徐畅; 王安; 余仁旭; 何有丰 |
| 地址 | 江苏省苏州市吴江区汾湖高新开发区新黎路98号 |
专利主权项内容
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底；半导体外延层，位于所述衬底的一侧；其中，所述半导体外延层内具有二维电子气的异质结；所述半导体外延层包括栅极区以及位于所述栅极区相对两侧的漂移区；栅极结构，位于所述半导体外延层的栅极区；间隔层，位于所述半导体外延层的漂移区；硅元素供给层，位于所述间隔层远离所述衬底的一侧；阻挡层，位于所述栅极结构远离所述衬底的一侧以及栅极结构的侧壁；所述阻挡层用于阻挡所述硅元素供给层中的硅向所述栅极结构扩散。