一种GaN功率器件及其制备方法
摘要文本
本发明公开了一种GaN功率器件及其制备方法，GaN功率器件包括：氮化镓层位于衬底结构的一侧，AlGaN层位于氮化镓层远离衬底结构的一侧，P型GaN层位于AlGaN层远离氮化镓层的一侧，栅极位于P型GaN层远离AlGaN层的一侧，钝化层位于栅极远离P型GaN层的一侧；其中，AlGaN层包括中心区域和边缘区域，边缘区域位于中心区域的两侧；P型GaN层覆盖AlGaN层的中心区域；栅极位于P型GaN层远离AlGaN层的表面；钝化层覆盖AlGaN层的边缘区域和栅极；钝化层包括相互连接的第一侧壁区和第一漂移区，第一漂移区覆盖AlGaN层的边缘区域，第一侧壁区覆盖P型GaN层和栅极的侧壁区域；第一侧壁区的膜厚与第一漂移区的膜厚的比例范围为0.9‑2。本发明可以提高二维电子气浓度，降低栅极泄露。
申请人信息
- 申请人:英诺赛科(苏州)半导体有限公司
- 申请人地址:215000 江苏省苏州市吴江区汾湖高新开发区新黎路98号
- 发明人: 英诺赛科(苏州)半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种GaN功率器件及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202311774650.7 |
| 申请日 | 2023/12/22 |
| 公告号 | CN117476762B |
| 公开日 | 2024/3/5 |
| IPC主分类号 | H01L29/778 |
| 权利人 | 英诺赛科(苏州)半导体有限公司 |
| 发明人 | 刘成名; 高钒; 李康; 何军漆; 周绍珂; 梁耀; 何有丰 |
| 地址 | 江苏省苏州市吴江区汾湖高新开发区新黎路98号 |
专利主权项内容
1.一种GaN功率器件，其特征在于，包括：衬底结构、氮化镓层、AlGaN层、P型GaN层、栅极和至少一层钝化层；所述氮化镓层位于所述衬底结构的一侧，所述AlGaN层位于所述氮化镓层远离所述衬底结构的一侧，所述P型GaN层位于所述AlGaN层远离所述氮化镓层的一侧，所述栅极位于所述P型GaN层远离所述AlGaN层的一侧，所述钝化层位于所述栅极远离所述P型GaN层的一侧；其中，所述AlGaN层包括中心区域和边缘区域，所述边缘区域位于所述中心区域的两侧；所述P型GaN层覆盖所述AlGaN层的中心区域；所述栅极位于所述P型GaN层远离所述AlGaN层的表面；所述钝化层覆盖所述AlGaN层的边缘区域和所述栅极；所述钝化层包括相互连接的第一侧壁区和第一漂移区，所述第一漂移区覆盖所述AlGaN层的边缘区域，所述第一侧壁区覆盖所述P型GaN层和所述栅极的侧壁区域；所述第一侧壁区的膜厚与所述第一漂移区的膜厚的比例范围为0.9-2。