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一种半导体装置及其制造方法
摘要文本
本公开提供了一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括：衬底；第一氮化物半导体层，设置于所述衬底上；第二氮化物半导体层，设置于所述第一氮化物半导体层上并且其带隙大于所述第一氮化物半导体层的带隙；第三氮化物半导体层，其被掺杂杂质，且设置于所述第二氮化物半导体层上；栅极电极，设置于所述第三氮化物半导体层上；第一半导体层，设置于所述第三氮化物半导体层上；及通孔，电性连接至所述栅极电极，其中所述栅极电极与所述第三氮化物半导体层界定肖特基接触，且所述第一半导体层与所述通孔界定欧姆接触。 来自：
申请人信息
- 申请人:英诺赛科(苏州)半导体有限公司
- 申请人地址:215211 江苏省苏州市吴江区汾湖高新开发区新黎路98号
- 发明人: 英诺赛科(苏州)半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种半导体装置及其制造方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202311667322.7 |
| 申请日 | 2023/12/7 |
| 公告号 | CN117374103B |
| 公开日 | 2024/3/8 |
| IPC主分类号 | H01L29/47 |
| 权利人 | 英诺赛科(苏州)半导体有限公司 |
| 发明人 | 何清源; 郝荣辉 |
| 地址 | 江苏省苏州市吴江区汾湖高新开发区新黎路98号 |
专利主权项内容
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：衬底；第一氮化物半导体层，设置于所述衬底上；第二氮化物半导体层，设置于所述第一氮化物半导体层上并且其带隙大于所述第一氮化物半导体层的带隙；第三氮化物半导体层，其被掺杂杂质，且设置于所述第二氮化物半导体层上；栅极电极，设置于所述第三氮化物半导体层上；第一半导体层，设置于所述第三氮化物半导体层上；及通孔，电性连接至所述栅极电极；其中，所述栅极电极与所述第三氮化物半导体层界定肖特基接触，且所述第一半导体层与所述通孔界定欧姆接触；更包括：第二半导体层，设置于所述第一半导体层与所述第三氮化物半导体层之间，并且其带隙大于所述第一半导体层的带隙。