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一种真空微重力悬浮烧结制备SiC陶瓷及复合材料的方法

申请号: CN202311852118.2
申请人: 江苏先进无机材料研究院; 中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日期: 2023/12/29

摘要文本

本发明属于陶瓷的烧结成型技术领域,具体涉及一种真空微重力悬浮烧结制备SiC陶瓷及复合材料的方法。本发明的方法采用气动悬浮的方式来使样品悬浮,采用高功率激光来加热悬浮样品使其烧结。本发明提供的真空微重力悬浮烧结制备SiC陶瓷及复合材料的方法实现SiC陶瓷的致密化,利用其升降温速度快、烧结速度冷却速度快,模拟微重力环境能减轻重力作用的影响,制得一系列微观形貌均一且粒径小的SiC陶瓷及含SiC的陶瓷复合材料。同时,本发明的方法也为SiC陶瓷及复合材料推向空间在轨制造奠定了良好的基础。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种真空微重力悬浮烧结制备SiC陶瓷及复合材料的方法
专利类型 发明申请
申请号 CN202311852118.2
申请日 2023/12/29
公告号 CN117486615A
公开日 2024/2/2
IPC主分类号 C04B35/565
权利人 江苏先进无机材料研究院; 中国科学院上海硅酸盐研究所
发明人 殷杰; 王力; 魏玉全; 陈晓; 黄政仁; 刘学健; 陈忠明; 姚秀敏
地址 江苏省苏州市太仓市良辅路6号; 上海市长宁区定西路1295号

专利主权项内容

1.一种真空微重力悬浮烧结制备SiC陶瓷的方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤(1):将粉体原料、粘结剂进行球磨并混合均匀,过筛后得到干压成型用粉体;粉体原料为SiC粉体;步骤(2):将步骤(1)中得到的干压成型用粉体干压成型,得到陶瓷预制体;步骤(3):将步骤(2)中得到的陶瓷预制体在600℃~1200℃下进行脱粘处理,得到陶瓷素坯;步骤(4):使用氩气作为载气流将步骤(3)中得到的陶瓷素坯悬浮起来,向悬浮的陶瓷素坯施加激光束对陶瓷素坯进行加热烧结,得到烧结的SiC陶瓷。 (来 自 马 克 数 据 网)