一种生产碲化镉、碲锌镉单晶的方法

专利主权项内容

1.一种生长碲锌镉单晶的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：将用于生长晶体的原料碲锌镉和碲封装在密闭的晶体生长容器中，再将封装有原料的晶体生长容器置于Bridgman晶体生长炉中；Bridgman晶体生长炉具有柱形的炉腔，炉腔上部具有可独立控制温度的高温区，炉腔下部具有可独立控制温度的低温区，在高温区和低温区之间形成梯度温场；炉腔内具有下降装置以携载封装有原料的晶体生长容器竖向运动；步骤二：设置Bridgman晶体生长炉的高温区和低温区的温度，以及高温区、低温区之间的温度梯度；启动温控程序，使炉腔内的温度达到预设的目标温度；保温一段时间，直至晶体生长容器内的原料形成熔体，以及高温区温度、低温区温度和梯度温场稳定；步骤三：启动下降装置携载封装有原料的晶体生长容器从高温区移动至低温区，并参照相图中的液相线，控制高温区、低温区和梯度温场降温，降低的温度用以补偿熔体组分变化引起的结晶温度的变化。