一种基于超景深的大尺寸SiC晶圆应力测量方法

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本发明提出了一种基于超景深的大尺寸SiC晶圆应力测量装置及方法，解决了传统圆偏光瞬时光弹测量方法在测量精度上受光学系统的限制及环境因素干扰的局限，其主要方案包括：由上至下依次同轴设置的偏振相机、双远心光路、中心镂空的机动转台、1/4波片、线偏振片以及准直光源，所述机动转台顶部固定支撑所述SiC晶圆沿边，所述准直光源经过所述线偏振片形成线偏光，再经过所述1/4波片形成圆偏振光，并穿过转台中心照射所述SiC晶圆，最后由所述偏振相机通过所述双远心光路获取SiC晶圆对应偏振态图像，所述机动转台能够以地面为水平面进行翻转定位。