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SPEEK/MXene复合离子交换膜的制备方法

申请号: CN202311415423.5
申请人: 张家港德泰储能装备有限公司
申请日期: 2023/10/30

摘要文本

本发明公开了一种SPEEK/MXene复合离子交换膜的制备方法,包括:酸刻蚀法制备MXene;MXene阳离子插层和表面改性,得二维过渡金属碳/氮化物MXene;制备干燥条絮状的SPEEK;将二维过渡金属碳/氮化物MXene加入高沸点有机溶剂中,剥离为单层结构;将SPEEK溶于MXene的有机溶液中,搅拌均匀;浇铸成膜,升温干燥,冷却后,得到SPEEK/MXene基底膜;将MXene的有机溶液浇至SPEEK/MXene基底膜的表面,静置,升温干燥,冷却后,即得。本发明制得的复合离子交换膜具有优异的离子选择性和离子传导率,具有良好的化学稳定性和机械性能,适用于多种液流电池体系且电池性能良好。 详见官网:

专利详细信息

项目 内容
专利名称 SPEEK/MXene复合离子交换膜的制备方法
专利类型 发明申请
申请号 CN202311415423.5
申请日 2023/10/30
公告号 CN117497813A
公开日 2024/2/2
IPC主分类号 H01M8/1069
权利人 张家港德泰储能装备有限公司
发明人 丁美; 何慕容; 闫苏
地址 江苏省苏州市张家港市杨舍镇东莱街道东电大道21号

专利主权项内容

1.一种SPEEK/MXene复合离子交换膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S1,酸刻蚀法制备MXene;S2,MXene阳离子插层和表面改性:将得到的TiX(OH)F材料放入0.5-5mol/L的阳离子水溶液中,阳离子是Li、Na、K中的一种或多种,在搅拌下进行离子交换,得到阳离子插层的TiMX(OH)F材料,在惰性气氛或还原性气氛保护下,将TiX(OH)F和TiMX(OH)F材料升温至100-500℃,升温速率为1-30℃/min,保持1-10h,即得二维过渡金属碳/氮化物MXene材料TiXO和TiMXO,0≤x≤1.5;n+1nyz+++n+1nyzn+1nyzn+1nyzn+1nyn+1xnyS3,制备干燥条絮状的SPEEK,磺化度为10%~80%;S4,将二维过渡金属碳/氮化物MXene材料加入高沸点有机溶剂中,质量体积比为1/4000~1/800g/mL,然后超声处理1~24h,剥离为单层结构;S5,将干燥条絮状的SPEEK溶于S4得到的MXene的有机溶液中,搅拌均匀;SPEEK和高沸点有机溶剂的质量体积比为1/80~1/10g/mL;S6,将S5所得混合溶液采用溶液浇铸法制备成膜,升温干燥,冷却后,得到SPEEK/MXene基底膜;S7,将S4得到的MXene的有机溶液浇至S6得到的SPEEK/MXene基底膜的表面,静置,干燥,即得。