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封装结构及其制备方法、封装组件

申请号: CN202311726399.7
申请人: 苏州熹联光芯微电子科技有限公司; 上海矽科雅科技有限公司
申请日期: 2023/12/15

摘要文本

本申请涉及一种封装结构及其制备方法、封装组件。一种封装组件包括:导电连接结构,具有沿导电连接结构延伸方向排布的第一端和第二端,第一端用于连接封装芯片,第二端用于连接封装焊盘的焊盘层;贯穿孔,沿导电连接结构延伸方向贯穿导电连接结构。通过设置封装组件包括导电连接结构和贯穿孔,且贯穿孔沿导电连接结构延伸方向贯穿导电连接结构。封装时,将导电连接结构连接至封装芯片和封装焊盘的焊盘层,导电连接结构承受较大的应力,此时,由于导电连接结构内部设有贯穿孔,导电连接结构可以向贯穿孔发生形变,进而缓解应力,从而保护封装组件。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 封装结构及其制备方法、封装组件
专利类型 发明授权
申请号 CN202311726399.7
申请日 2023/12/15
公告号 CN117410260B
公开日 2024/3/22
IPC主分类号 H01L23/488
权利人 苏州熹联光芯微电子科技有限公司; 上海矽科雅科技有限公司
发明人 赵华强; 徐俊; 杨威; 刘统明; 周秋桂
地址 江苏省苏州市张家港市杨舍镇福新路1202号纳米产业园3号楼北侧1层; 上海市闵行区沪青平公路277号5楼

专利主权项内容

1.一种封装组件,其特征在于,包括:导电连接结构,具有沿所述导电连接结构延伸方向排布的第一端和第二端,所述第一端用于连接封装芯片,所述第二端用于连接封装焊盘的焊盘层;贯穿孔,沿所述导电连接结构延伸方向贯穿所述导电连接结构;所述封装组件还包括:形变层,位于所述导电连接结构的远离所述贯穿孔的外周表面,所述形变层的材料包括镧系金属;增强层,环绕于所述形变层的远离所述导电连接结构的表面,所述增强层的材料包括金;粘合层,位于所述形变层与所述增强层之间。