一种半导体晶圆清洗、刻蚀专用三流体喷嘴
摘要文本
本发明属于晶圆制造技术领域，尤其是一种半导体晶圆清洗、刻蚀专用三流体喷嘴，包括集成壳，所述集成壳的中心线处沿长度方向上开设有针孔，所述针孔的内壁滑动套接有前端呈锥形状的控针，所述集成壳的嘴前端螺纹套接有与所述控针锥形段活动套接的喷液部。该半导体晶圆清洗、刻蚀专用三流体喷嘴，通过设置微控部，能够通过控制控针与第一间隙之间的大小，来实现精准控制第一间隙内的液体流量，因为第一间隙的出液口径、液体流量流速、控针的直径和锥度都属于已知数据，再结合控针的伸缩长度，就能够轻而易举的得到控针需要伸缩的长度，以此就能够快速简单实现数字化，且通过螺纹旋转的螺距来保证控针伸缩长度的精准度。
申请人信息
- 申请人:苏州智程半导体科技股份有限公司
- 申请人地址:215311 江苏省苏州市昆山市巴城镇中华路889号
- 发明人: 苏州智程半导体科技股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种半导体晶圆清洗、刻蚀专用三流体喷嘴 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202311778440.5 |
| 申请日 | 2023/12/22 |
| 公告号 | CN117457546B |
| 公开日 | 2024/3/15 |
| IPC主分类号 | H01L21/67 |
| 权利人 | 苏州智程半导体科技股份有限公司 |
| 发明人 | 赵天翔; 刘国强 |
| 地址 | 江苏省苏州市昆山市巴城镇中华路889号 |
专利主权项内容
1.一种半导体晶圆清洗、刻蚀专用三流体喷嘴，包括集成壳(1)，其特征在于：所述集成壳(1)的中心线处沿长度方向上开设有针孔(2)，所述针孔(2)的内壁滑动套接有前端呈锥形状的控针(3)；所述集成壳(1)的嘴前端螺纹套接有与所述控针(3)锥形段活动套接的喷液部(4)；所述集成壳(1)的嘴后端设有用于控制所述控针(3)沿所述针孔(2)轴心线方向移动的微控部(5)；所述集成壳(1)的外表面开设有接口(6)，通过所述接口(6)分别螺纹连接有气管接头(61)以及液管接头(62)；所述微控部(5)带动所述控针(3)来回移动后改变所述控针(3)锥形段与所述喷液部(4)之间的第一间隙(41)，以实现控制从所述喷液部(4)喷出液体或气体的流量；所述喷液部(4)包括与所述针孔(2)螺纹连通的喷管(42)，所述喷管(42)的前端内壁与所述控针(3)的前端锥形状表面相适配，从其中一个所述接口(6)内喷来的液体或气体最终沿所述第一间隙(41)内喷出，以实现第一流体的喷出动作；所述喷管(42)的外表面固定套接有分流环(43)，所述分流环(43)的表面环形阵列开设有流体孔(44)，所述分流环(43)的内端面固定安装有螺纹紧贴所述集成壳(1)嘴前端端面的分割环(45)，通过所述分割环(45)将另两个所述接口(6)隔离；所述集成壳(1)的前端端面还固定安装有螺纹环(46)，所述螺纹环(46)的外表面通过螺纹套(410)螺纹连接有嘴头(47)，所述嘴头(47)的中心处与所述喷管(42)的外表面活动套接后形成第二间隙(48)，另两个所述接口(6)中靠近中心处的所述接口(6)中喷出的流体沿所述第二间隙(48)喷出后形成第二流体的喷出动作；所述嘴头(47)的壁厚处开设有出口向所述第二间隙(48)喷射的第三间隙孔(49)，另两个所述接口(6)中远离中心处的所述接口(6)中喷出的流体沿所述第三间隙孔(49)喷出后形成第三流体的喷出动作；所述微控部(5)包括通过内六角螺栓固定在所述集成壳(1)嘴后端端面的端盖(51)，所述端盖(51)与所述集成壳(1)嘴后端之间的空腔内壁滑动设置有活塞(52)，所述活塞(52)的中心处与所述控针(3)的尾部表面固定套接，所述针孔(2)的内壁固定插接有与所述控针(3)滑动连接的密封塞(53)；所述活塞(52)与所述密封塞(53)之间的空腔内壁处开设有干涉孔(54)，所述干涉孔(54)的内壁螺纹连接有用于通入气体或液体的连接头(55)。