外加磁场辅助激光制备透明导电薄膜的方法及其透明导电薄膜
摘要文本
本发明公开一种外加磁场辅助激光制备透明导电薄膜的方法及其透明导电薄膜，包括以下步骤：S1改性透明导电氧化物的沉积；S2.外加磁场的改性透明导电氧化物层的激光蚀刻；S3.导电非磁金属层的沉积；S4.外加磁场的激光二次蚀刻。本发明提供的外加磁场辅助激光制备透明导电薄膜的方法通过磁场辅助作用和导电金属的沉积，来改善透明导电薄膜内部的晶体结构，使得薄膜晶体在重结晶时变的更加致密、均匀，可以有效的提高透明导电薄膜的透光率和导电性。
申请人信息
- 申请人:昆山汉品电子有限公司
- 申请人地址:226000 江苏省苏州市昆山市玉山镇水秀路2008号
- 发明人: 昆山汉品电子有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 外加磁场辅助激光制备透明导电薄膜的方法及其透明导电薄膜 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311563655.5 |
| 申请日 | 2023/11/22 |
| 公告号 | CN117790073A |
| 公开日 | 2024/3/29 |
| IPC主分类号 | H01B13/00 |
| 权利人 | 昆山汉品电子有限公司 |
| 发明人 | 邓联文; 吴娜娜; 施艳萍 |
| 地址 | 江苏省苏州市昆山市玉山镇水秀路2008号 |
专利主权项内容
更多数据： 1.一种外加磁场辅助激光制备透明导电薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤 : S1.改性透明导电氧化物的沉积 : 按质量比取1 : (7-10)的纳米级铁粉和TCO材料混合研磨，高温煅烧，煅烧温度800-1000℃，将煅烧后的混合物研磨压制，制备成致密的改性TCO靶体，采用磁控溅射的方式，使得改性TCO靶原子沉积在基材表面，形成改性透明导电氧化物层；S2.外加磁场的改性透明导电氧化物层的激光蚀刻：将S1中制备的所述改性透明导电氧化物层放置在磁场中，以脉冲宽度为10-20ns，波长在400-800nm，激光能量密度为1.5-2.3J/cm，扫描速度为10-20mm/s，扫描线重叠率控制在60-70％，对其进行激光蚀刻处理，即得透明导电膜层；3S3.导电非磁金属层的沉积：通过磁控溅射的方式在所述透明导电膜层表面形成一层10-25nm厚的纳米银非磁金属层，所述磁控溅射的工艺参数为：溅射电流为70-90mA，通入的溅射气体为纯度>99.99％的氩气，气体总流量为20-30L/min；S4.外加磁场的激光二次蚀刻：将S3中沉积有非磁金属层后的所述透明导电膜层放置在磁场中，以脉冲宽度为15-25ns，波长在400-800nm，激光能量密度为2.3-3.0J/cm，扫描速度为11-15mm/s，扫描线重叠率控制在60-70％，对其进行激光蚀刻处理，即得透明导电薄膜。3