一种提升射频功率放大器性能的电路及方法
摘要文本
本发明属于无线通信系统技术领域，为一种提升射频功率放大器性能的电路及方法，该电路包括：缓冲器Buffer1，输入端输入控制信号，输出端连接开关SW1，开关SW1包括两个输出端，一个开关输出端连接电流源I1，另一个开关输出端连接电流源I0，并连接接地的电阻R1，另一个开关输出端通过电阻R2连接至运算放大器OP的正向输入端，运算放大器OP的正向输入端还连接有接地的电容C1；两个电阻串联分压构成运算放大器OP的反馈网络，运算放大器OP的输出端通过开关SW2连接反相器Inv1，反相器Inv1的另一端连接在缓冲器Buffer1的输入端；运算放大器OP的输出端连接至射频功率放大器PA，本发明实现功率增益在信号包的整个传输时间内都保持恒定，达到最优DEVM性能。
申请人信息
- 申请人:苏州悉芯射频微电子有限公司
- 申请人地址:215301 江苏省苏州市昆山市昆山开发区庆丰西路669号2号房中天大厦智谷创意产业园A区4层
- 发明人: 苏州悉芯射频微电子有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种提升射频功率放大器性能的电路及方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202311848268.6 |
| 申请日 | 2023/12/29 |
| 公告号 | CN117498808B |
| 公开日 | 2024/3/15 |
| IPC主分类号 | H03F1/02 |
| 权利人 | 苏州悉芯射频微电子有限公司 |
| 发明人 | 项勇; 陈浪; 刘辉; 戈泽宇; 汪智斌; 唐玖虎 |
| 地址 | 江苏省苏州市昆山市昆山开发区庆丰西路669号2号房中天大厦智谷创意产业园A区4层 |
专利主权项内容
1.一种提升射频功率放大器性能的电路，其特征在于，该电路包括：缓冲器Buffer1，输入端输入控制信号，输出端连接开关SW，所述开关SW包括两个输出端，一个开关输出端连接电流源I，另一个开关输出端连接电流源I，并连接电阻R，电阻R另一端接地，另一个开关输出端通过电阻R连接至运算放大器OP的正向输入端，所述运算放大器OP的正向输入端还连接有电容C，电容C的另一端接地；111011211电阻R和电阻R串联分压构成跨接在运算放大器OP输入端与输出端的反馈网络，运算放大器OP的输出端通过开关SW连接反相器Inv1，反相器Inv1的另一端连接在缓冲器Buffer1的输入端；342所述运算放大器OP的输出端连接至射频功率放大器PA的偏置电压端；通过控制缓冲器Buffer1的输入的控制信号为高，缓冲器Buffer1的输出电压EN1为高，开关SW开启，使得电流源I和电流源I流入电阻R并产生电压V，记为V，经过电阻R后产生电压V，记为V，作为运算放大器OP的输入参考电压，在运算放大器OP输出端产生电压V给射频功率放大器PA提供偏置电压；电压V的电压值由计算公式V= (1+R3/R2) * V决定，反相器Inv1的输出电压EN2为低，开关SW关闭，使得偏置电压VBIAS与地线之间断开，此时偏置电压V不受影响，射频功率放大器PA正常工作；1011BGBG12REFREF1BIASBIASBIAS REF2BIAS通过控制缓冲器Buffer1的输入的控制信号为低，缓冲器Buffer1的输出电压EN1为低，开关SW关闭，使得电流源I无法流入电阻R，电流源I流入电阻R并产生电压V，记为V，经过电阻R后产生电压V，记为V，反相器Inv1的输出电压EN2为高，开关SW开启，使得偏置电压VBIAS与地线相连接，偏置电压V被拉至地，射频功率放大器PA断电并停止工作。11101BGBG02REFREF02BIAS