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一种半导体芯片表面溅镀的方法
摘要文本
本发明实施例公开了一种半导体芯片表面溅镀的方法，该方法通过将连板半导体芯片上每个半导体芯片的外侧壁进行第一次切割，然后将第一次切割后的连板半导体芯片放置固定在载具上对每个半导体芯片的外侧壁以及顶面进行溅镀，然后从载具中取出后翻转对连板半导体芯片上每个半导体芯片的外侧壁进行第二次切割从而分割形成多个独立的半导体芯片。该方法是直接对连板半导体芯片进行切割、溅镀，提高了作业效率和产品良率，极大的减少了对应设备以及物料的投入成本。。来自：马 克 团 队
申请人信息
- 申请人:立芯科技(昆山)有限公司
- 申请人地址:215300 江苏省苏州市昆山市巴城镇塔基路东侧金凤凰路北侧
- 发明人: 立芯科技(昆山)有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种半导体芯片表面溅镀的方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311775333.7 |
| 申请日 | 2023/12/21 |
| 公告号 | CN117476474A |
| 公开日 | 2024/1/30 |
| IPC主分类号 | H01L21/56 |
| 权利人 | 立芯科技(昆山)有限公司 |
| 发明人 | 李胜彪; 赵宏博; 汪凯; 王利维; 魏大仲 |
| 地址 | 江苏省苏州市昆山市巴城镇塔基路东侧金凤凰路北侧 |
专利主权项内容
1.一种半导体芯片表面溅镀的方法，其特征在于，所述方法包括：将连板半导体芯片上每个半导体芯片的外侧壁进行第一次切割；将第一次切割后的连板半导体芯片放置固定在载具上；对第一次切割后的连板半导体芯片上每个半导体芯片的外侧壁以及顶面进行溅镀，所述半导体芯片的外侧壁上的溅镀深度与第一次切割的高度相同；将溅镀后的连板半导体芯片从载具中取出后翻转，并将溅镀后的连板半导体芯片上每个半导体芯片的外侧壁进行第二次切割形成单个半导体芯片，第二次切割的切割位置和第一次切割的切割位置相对应。