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用于提供加热的蚀刻溶液的系统和方法
摘要文本
本发明涉及半导体器件制造的湿式蚀刻技术领域，特别涉及一种用于提供加热的蚀刻溶液的系统和方法，方法包括：在使用前采用进样技术对蚀刻溶液输送的液相色谱柱的毛细管进行反复洗气；采集蚀刻溶液的溶液温度、含水量和环境温度，判断溶液温度是否在蚀刻工艺的温度需求范围内，若否，则先进行温度调节，使得溶液温度满足温度需求范围要求后才实施圆晶的蚀刻工艺；在开始圆晶蚀刻前，先将溶液温度和含水量输入预设的工艺预测模型进行水蒸发量预测，得到单位时间的水损量数据；在实施圆晶的蚀刻工艺时，根据水损量数据向蚀刻溶液补充去离子水，并结合补充的去离子水的水温和环境温度实施蚀刻工艺的温度控制。系统用于实现上述方法。
申请人信息
- 申请人:苏州恩腾半导体科技有限公司
- 申请人地址:215000 江苏省苏州市漕湖街道春耀路21号硕贝德科技园1号楼
- 发明人: 苏州恩腾半导体科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 用于提供加热的蚀刻溶液的系统和方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311505073.1 |
| 申请日 | 2023/11/13 |
| 公告号 | CN117542755A |
| 公开日 | 2024/2/9 |
| IPC主分类号 | H01L21/67 |
| 权利人 | 苏州恩腾半导体科技有限公司 |
| 发明人 | 朴灵绪; 金信浩; 韩在善 |
| 地址 | 江苏省苏州市漕湖街道春耀路21号硕贝德科技园1号楼 |
专利主权项内容
1.一种用于提供加热的蚀刻溶液的方法，其特征在于，包括以下步骤：S100：采用液相色谱柱将蚀刻溶液送入刻蚀区域，使用前采用进样技术对液相色谱柱的毛细管进行反复洗气；S200：采集蚀刻溶液的溶液温度、含水量和环境温度，判断溶液温度是否在蚀刻工艺的温度需求范围内，若否，则先进行温度调节，使得溶液温度满足温度需求范围要求后才实施圆晶的蚀刻工艺；S300：在开始圆晶蚀刻前，先将溶液温度和含水量输入预设的工艺预测模型进行水蒸发量预测，得到单位时间的水损量数据；S400：在实施圆晶的蚀刻工艺时，根据水损量数据向蚀刻溶液补充去离子水，并结合补充的去离子水的水温和环境温度实施蚀刻工艺的温度控制。 更多数据：搜索马克数据网来源：