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一种温度控制的等离子刻蚀系统和温度控制方法
摘要文本
本发明提供了一种温度控制的等离子刻蚀系统及方法，包括：无接触检测晶圆上表面温度及晶圆下底面温度，检测刻蚀过程等离子体温度分布及聚合副产物聚集区域温度；分析判定晶圆上表面温度差异值超常点及晶圆下底面温度差异值超常点，筛选出等离子体温度分布差异超常空间区域，选取聚合副产物聚集厚度超常刻蚀腔区域；对晶圆上表面及晶圆下底面进行温度补偿控制，并进行等离子体温度分布空间均衡控制及聚合副产物热剥离控制；进行超常点红外聚焦温度补偿及底面局部热导温度补偿，并进行等离子体温度分布空间均衡；对聚合副产物聚集厚度超常刻蚀腔区域加热使聚合副产物热剥离；进行等离子刻蚀晶圆双温补偿空间均衡过程防护。
申请人信息
- 申请人:苏州恩腾半导体科技有限公司
- 申请人地址:215000 江苏省苏州市漕湖街道春耀路21号硕贝德科技园1号楼
- 发明人: 苏州恩腾半导体科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种温度控制的等离子刻蚀系统和温度控制方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311647778.7 |
| 申请日 | 2023/12/5 |
| 公告号 | CN117672801A |
| 公开日 | 2024/3/8 |
| IPC主分类号 | H01J37/32 |
| 权利人 | 苏州恩腾半导体科技有限公司 |
| 发明人 | 朴灵绪; 陈建福; 付正超; 高帅; 刘强; 王琪; 陈亮; 金信浩; 韩在善 |
| 地址 | 江苏省苏州市漕湖街道春耀路21号硕贝德科技园1号楼 |
专利主权项内容
1.一种温度控制的等离子刻蚀系统，其特征在于，包括：晶圆等离子聚合温度检测分系统，无接触检测晶圆上表面温度及晶圆下底面温度，检测刻蚀过程等离子体温度分布及聚合副产物聚集区域温度；双面温度等离子聚合分析分系统，分析判定晶圆上表面温度差异值超常点及晶圆下底面温度差异值超常点，筛选出等离子体温度分布差异超常空间区域，选取聚合副产物聚集厚度超常刻蚀腔区域；等离子刻蚀温度控制分系统，对晶圆上表面及晶圆下底面进行温度补偿控制，并进行等离子体温度分布空间均衡控制及聚合副产物热剥离控制；红外聚焦导热温度均衡分系统，进行超常点红外聚焦温度补偿及底面局部热导温度补偿，并进行等离子体温度分布空间均衡；对聚合副产物聚集厚度超常刻蚀腔区域加热使聚合副产物热剥离；进行等离子刻蚀晶圆双温补偿空间均衡过程防护。 来源：百度搜索马克数据网