一种单片晶圆半导体刻蚀设备及刻蚀方法

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本发明涉及半导体刻蚀技术领域，公开了一种单片晶圆半导体刻蚀设备及刻蚀方法，包括：设置在台板上的外罩，外罩内侧形成刻蚀腔；设置在刻蚀腔内的支撑部，支撑部上转动设有旋转部件，旋转部件的顶部用于夹持待刻蚀晶圆；设置在旋转部件上方的溶液输送装置；支撑部的顶面设有环形出气口，环形出气口能够向支撑部与待刻蚀晶圆形成的间隙处提供设定压力的惰性气体；外罩的一侧设有与抽气装置连接的排气口。抽气装置对刻蚀腔内气体抽吸，防止刻蚀产生的化学气体停留在刻蚀腔内；环形出气口提供的惰性气体使间隙处形成出气压力，阻止化学气体、废液和杂质从间隙进入，防止对晶圆产生腐蚀和污染，避免化学气体和废液逃逸扩散至外部。