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一种具有刻蚀腔室加热装置的晶圆刻蚀系统和控制方法

申请号: CN202311745517.9
申请人: 苏州恩腾半导体科技有限公司
申请日期: 2023/12/19

摘要文本

本发明公开了一种具有刻蚀腔室加热装置的晶圆刻蚀系统和控制方法,包括:加热装置、检测模块,刻蚀模块及调节模块,对晶圆刻蚀过程进行检测,根据对晶圆的刻蚀情况,对初始刻蚀条件进行优化调整,便于提高刻蚀速率及刻蚀准确性。 专利查询网

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种具有刻蚀腔室加热装置的晶圆刻蚀系统和控制方法
专利类型 发明申请
申请号 CN202311745517.9
申请日 2023/12/19
公告号 CN117727662A
公开日 2024/3/19
IPC主分类号 H01L21/67
权利人 苏州恩腾半导体科技有限公司
发明人 朴灵绪; 陈建福; 付正超; 高帅; 刘强; 王琪; 陈亮; 金信浩; 韩在善
地址 江苏省苏州市漕湖街道春耀路21号硕贝德科技园1号楼

专利主权项内容

1.一种具有刻蚀腔室加热装置的晶圆刻蚀系统,其特征在于,包括:加热装置,用于检测刻蚀腔室的温度,并将刻蚀腔室的温度调节至预设温度;检测模块,用于在刻蚀前检测位于刻蚀腔室的待刻蚀基板的膜层的第一厚度;刻蚀模块,用于:向刻蚀腔室以初始通入速率通入刻蚀气体,基于放电装置将刻蚀气体激发成等离子体,通过离子加速器对等离子体进行加速来轰击待刻蚀基板,开启转动装置,控制刻蚀腔室以初始转动速率进行转动;调节模块,用于:在第一预设时间段后,检测待刻蚀基板的膜层的第二厚度;根据第一厚度及第二厚度确定第一刻蚀速率,并与预设刻蚀速率进行比较;计算第一刻蚀速率与预设刻蚀速率的第一差值,在确定第一差值小于0时,根据第一差值查询预设转动速率调节数据库,确定第一调节参数,根据所述第一调节参数对初始转动速率进行调大处理;在第二预设时间段后,检测待刻蚀基板的膜层的第三厚度;所述第三厚度大于预设厚度阈值;根据第二厚度及第三厚度确定第二刻蚀速率,并与预设刻蚀速率进行比较;计算第二刻蚀速率与预设刻蚀速率的第二差值,在确定第二差值小于0时,根据第二差值查询预设通入速率调节数据库,确定第二调节参数,根据所述第二调节参数对初始通入速率进行调大处理。