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一种薄膜氢气传感器及其制备方法

申请号: CN202311519039.X
申请人: 苏州海卓赛思科技有限公司
申请日期: 2023/11/15

摘要文本

本发明公开了一种薄膜氢气传感器,其包括基底、用于检测氢气浓度的氢气测量单元、键合玻璃,所述氢气测量单元具有4个桥臂的惠斯通电桥结构,所述惠斯通电桥结构由多个电化学特性相同的氢敏电阻元件组成,每个桥臂上的氢敏电阻元件个数相同,其中两个相对的桥臂上为用于氢气测量的氢敏电阻元件,另两个相对的桥臂上为参比氢敏电阻元件。键合玻璃靠近基底的一端设置有凹槽,凹槽壁顶部与基底密封连接而在凹槽内形成密闭空腔,参比氢敏电阻位于密闭空腔内。该传感器生产工艺简单成熟,传感器的灵敏度和测量精度高,且无需加热元件从而大大降低传感器功耗。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种薄膜氢气传感器及其制备方法
专利类型 发明申请
申请号 CN202311519039.X
申请日 2023/11/15
公告号 CN117388330A
公开日 2024/1/12
IPC主分类号 G01N27/12
权利人 苏州海卓赛思科技有限公司
发明人 景涛; 陈浩; 贺海浪; 翁建青
地址 江苏省苏州市中国(江苏)自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区02幢601室

专利主权项内容

1.一种薄膜氢气传感器,其特征在于,包括基底(1)、用于检测氢气浓度的氢气测量单元(2)、键合玻璃(3),所述氢气测量单元(2)为具有4个桥臂的惠斯通电桥结构,所述惠斯通电桥结构由多个电化学特性相同的氢敏电阻元件组成,每个桥臂上的氢敏电阻元件个数相同,其中两个相对的桥臂上设有用于氢气测量的氢敏电阻元件(21),另两个相对的桥臂上设有参比氢敏电阻元件(22);所述基底(1)上下两面对应设置有上氧化物绝缘层(4)和下氧化物绝缘层(5),所述氢敏电阻元件(21)位于上氧化物绝缘层(4)上,参比氢敏电阻元件(22)位于下氧化物绝缘层(5)上;所述键合玻璃(3)靠近基底(1)的一端设置有凹槽(31),凹槽壁顶部(32)与基底(1)密封连接而在凹槽(31)内形成密闭空腔,所述参比氢敏电阻(22)位于所述密闭空腔内;所述参比氢敏电阻元件(22)上连接金属引针(34),所述金属引针(34)一端连接参比氢敏电阻元件(22),另一端相对键合玻璃(3)背离基底(1)的一端伸出。。该数据由<马克数据网>整理