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一种MEMS热膜式流量传感器芯片及其制备方法
摘要文本
本发明涉及流量传感器技术领域，特别是涉及一种MEMS热膜式流量传感器芯片及其制备方法，包括基底、氮化硅层、氧化硅层、金属层、接触孔和钝化保护层，由此形成上下层金属导通的纵向多层结构，三层金属层中均设置测温电阻，最上层氮化硅层中间部位金属为发热电阻；本发明将测温电阻的结构设置为纵向垂直延伸的多层结构；通过采用多层结构可以有效缩小膜区面积，从而减小传感器的尺寸。此外，多层结构可以提供更好的机械稳定性和结构强度，使得传感器更加耐用和可靠。在一些特殊环境下，如高温、高压或振动环境中，这种多层结构可以更好地抵抗外部影响，提供更长久的工作和使用寿命。 关注公众号专利查询网
申请人信息
- 申请人:莱斯能特(苏州)科技有限公司
- 申请人地址:215010 江苏省苏州市高新区嘉陵江路198号6号楼1201
- 发明人: 莱斯能特(苏州)科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种MEMS热膜式流量传感器芯片及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311312023.1 |
| 申请日 | 2023/10/11 |
| 公告号 | CN117342517A |
| 公开日 | 2024/1/5 |
| IPC主分类号 | B81B7/02 |
| 权利人 | 莱斯能特(苏州)科技有限公司 |
| 发明人 | 王兴阳; 薛维佳; 韩传仁 |
| 地址 | 江苏省苏州市高新区嘉陵江路198号6号楼1201 |
专利主权项内容
1.一种MEMS热膜式流量传感器芯片，其特征在于，包括：基底，背面中部通过腐蚀形成有背腔，背腔两端形成支撑端；氮化硅层，设置两层，分别位于基底的正面和背面；氧化硅层，沉积在三层金属层之间，作为各金属层之间的支撑层，且使各层金属测温电阻互不干扰且通过接触孔互相连通；金属层，在氮化硅层上及氧化硅层上通过溅射、刻蚀形成图案，并合金化处理后形成相应的电阻；接触孔，形成于上下三层金属层连通处的氮化硅层上；钝化保护层，形成于第三层金属层上，保护金属层并形成金属焊盘。 来源：马 克 团 队