一种紫外成像系统像质检测中点扩散函数的测量方法

专利主权项内容

1.一种紫外成像系统像质检测中点扩散函数的测量方法，其特征在于，方法包括：S1、搭建显微成像系统，显微成像系统包括多入射角度、波长、偏振可调的离轴照明模块、暗场显微成像模块、平面基底上的单元纳米结构；S2、构建平面基底上单元纳米结构的暗场散射场分布的数值计算模型；S21、定义照明背景电磁场Ψ、总电磁场Ψ和单元纳米结构的散射电磁场Ψ，定义的电磁场满足关系Ψ＝Ψ+Ψ；ITSTIS其中，定义照明背景电磁场Ψ，Ψ＝[E，H]；定义总电磁场Ψ，Ψ＝[E，H]；定义单元纳米结构的散射场Ψ，Ψ＝[E，H]；E表示电场，H表示磁场，E和H分别表示存在单元纳米结构时由定义一致的照明场激发的电场矢量和磁场矢量分量，I表示当前入射角度的入射场，T表示总场，S表示散射场，Ψ对应暗场散射成像系统中的收集信号的近场部分；IIIITTTTSSSSTTSS22、计算照明背景电磁场Ψ；I基于数值仿真和经典的麦克斯韦方程组建立的物理模型计算照明背景电磁场Ψ；IS23、计算单元纳米结构的散射电磁场Ψ；S根据麦克斯韦方程组，上文定义的照明背景电磁场Ψ和散射电磁场Ψ满足：IS式中，表示旋度运算，E和H分别表示单元纳米结构散射场的电场矢量和磁场矢量分量，E和H分别表示照明背景场的电场矢量和磁场矢量分量，i为虚数单位，ω＝2πc/λ，ω为角频率，c为光速，λ为光波长，/>表示材料的磁导率张量，/>表示材料的介电张量, 分别表示单元纳米结构材料的介电张量和磁导率张量；SSII由此可知，在求解Ψ的物理模型中，激励源部分为等效电流源和等效磁流源/>因此，根据公式(1)和已知的单元纳米结构区域内的照明背景场[E, H]和单元纳米结构材料属性/>计算获得Ψ；SIISS3、显微成像系统中点扩散函数测量精度和可靠性判断；选取平面基底上的单元纳米结构散射体作为等效点辐射源，采用暗场散射显微成像系统，通过数值计算平面基底上单元纳米结构的暗场散射场分布判断此系统中点扩散函数测量的有效性，即测量精度和可靠性。。来源：百度搜索马克数据网