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一种GaN单晶衬底的制备方法
摘要文本
本发明公开了一种GaN单晶衬底的制备方法，包括以下步骤：在基板上依次生长阻挡层、第一键合层，在衬底上依次生长GaN外延薄膜、第二键合层；将第一键合层与第二键合层键合，形成键合层，去除衬底，得到自下而上的基板、阻挡层、键合层、GaN外延薄膜；通过湿法腐蚀使得GaN外延薄膜远离键合层的一侧表面形成具有(10‑11)晶面的GaN岛；在GaN岛上，采用HVPE法在800～1000℃生长GaN，形成GaN厚膜；通过HF或BOE法腐蚀去掉键合层，将基板与GaN厚膜分离；对GaN厚膜做表面研磨、抛光处理。本发明基板与GaN厚膜的热膨胀系数一致，不存在失配，长厚时不容易碎裂，能够制备大尺寸GaN单晶。
申请人信息
- 申请人:东南大学苏州研究院
- 申请人地址:215000 江苏省镇江市苏州工业园区独墅湖高教区林泉街399号
- 发明人: 东南大学苏州研究院
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种GaN单晶衬底的制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311533965.2 |
| 申请日 | 2023/11/16 |
| 公告号 | CN117552111A |
| 公开日 | 2024/2/13 |
| IPC主分类号 | C30B29/40 |
| 权利人 | 东南大学苏州研究院 |
| 发明人 | 范谦; 顾星; 倪贤锋 |
| 地址 | 江苏省镇江市苏州工业园区独墅湖高教区林泉街399号 |
专利主权项内容
1.一种GaN单晶衬底的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，在基板(1)上依次生长阻挡层(2)、第一键合层(3)，在衬底(4)上依次生长GaN外延薄膜(5)、第二键合层(6)；步骤二，将步骤一的第一键合层(3)与步骤二的第二键合层(6)键合，形成键合层(7)，去除衬底(4)，得到顺次相连的基板(1)、阻挡层(2)、键合层(7)、GaN外延薄膜(5)；步骤三，通过湿法腐蚀使得GaN外延薄膜(5)远离键合层(7)的一侧表面形成具有(10-11)晶面的GaN岛(8)；步骤四，在GaN岛(8)上，采用HVPE法在800～1000℃生长GaN，形成GaN厚膜(9)；步骤五，通过HF或BOE法腐蚀去掉键合层(7)，将基板(1)与GaN厚膜(9)分离；步骤六，采用CMP法对GaN厚膜(9)做表面研磨、抛光处理，得到GaN单晶衬底。