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相变光器件与光波导平台的异质集成方法及结构
摘要文本
本发明揭示了一种相变光器件与光波导平台的异质集成方法、及相变材料与光波导平台的异质集成结构，所述方法的主要步骤包括在光波导上形成一层停止层和一层较厚的氧化层后，再通过开窗工艺将所述停止层和氧化层进行区域性的刻蚀，直至将该区域下的波导露出，然后通过溅射工艺将相变材料溅射至该窗口内的波导上，最后用溅射工艺将一层氧化层溅射至相变材料的上层实现覆盖进行保护。该方法能够实现相变材料与光波导平台的异质集成，让相变材料在该结构下能够进行稳定调制，同时能够保证相变材料在被调制过程中的完整性与稳定性，减少相变材料不可逆的损伤，延长相变材料的使用寿命。
申请人信息
- 申请人:光本位科技(苏州)有限公司
- 申请人地址:215000 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城中北区23幢214室
- 发明人: 光本位科技(苏州)有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 相变光器件与光波导平台的异质集成方法及结构 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311841724.4 |
| 申请日 | 2023/12/29 |
| 公告号 | CN117492138A |
| 公开日 | 2024/2/2 |
| IPC主分类号 | G02B6/13 |
| 权利人 | 光本位科技(苏州)有限公司 |
| 发明人 | 程唐盛; 蒲华楠; 胡梓昕 |
| 地址 | 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城中北区23幢214室 |
专利主权项内容
1.相变光器件与光波导平台的异质集成方法，其特征在于：包括如下步骤，S1、在衬底上集成光波导，形成光波导平台；S2、在外露于所述衬底之上的光波导的外表面通过物理气相沉积或化学气相沉积方法依次形成停止层和氧化层；S3、通过区域性刻蚀方法进行所述停止层和氧化层的开窗工艺，露出所述光波导；S4、采用第一薄膜沉积工艺将相变材料通过物理气相沉积方法沉积至该窗口内露出的所述光波导的表面，形成相变材料薄膜；S5、采用第二薄膜沉积工艺将与步骤S2中同样材质的氧化层通过物理气相沉积或化学气相沉积方法沉积至所述相变材料的上层实现覆盖，实现相变材料与光波导平台的异质集成。