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一种双极性场效应管及其制备方法
摘要文本
本申请实施例提供了一种双极性场效应管及其制备方法。双极性场效应管包括:第一掺杂类型的漂移区,所述漂移区形成在双极性场效应管的元胞区和终端区;多个沿竖直方向延伸并沿横向方向间隔分布的第二掺杂类型的柱区,布置在所述第一掺杂类型的漂移区内;在元胞区内的柱区上部由近及远依次设置有第一掺杂类型区及反型形成的第二掺杂类型的阱区;其中,在终端区内,第一掺杂类型的漂移区上方设置有场氧化层,终端区内的柱区与所述场氧化层接触。本申请实施例解决了传统超级结IGBT的终端区的承压能力受限的技术问题。
申请人信息
- 申请人:苏州华太电子技术股份有限公司
- 申请人地址:215000 江苏省苏州市苏州工业园区星湖街328号创意产业园10栋1层
- 发明人: 苏州华太电子技术股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种双极性场效应管及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311825872.7 |
| 申请日 | 2023/12/28 |
| 公告号 | CN117497569A |
| 公开日 | 2024/2/2 |
| IPC主分类号 | H01L29/06 |
| 权利人 | 苏州华太电子技术股份有限公司 |
| 发明人 | 祁金伟; 刘倩; 兰金龙 |
| 地址 | 江苏省苏州市苏州工业园区星湖街328号创意产业园10栋1层 |
专利主权项内容
1.一种双极性场效应管,其特征在于,包括:第一掺杂类型的漂移区,所述漂移区形成在双极性场效应管的元胞区和终端区;多个沿竖直方向延伸并沿横向方向间隔分布的第二掺杂类型的柱区,布置在所述第一掺杂类型的漂移区内;在元胞区内的柱区(32)上部由近及远依次设置有第一掺杂类型区(4)及反型形成的第二掺杂类型的阱区(7);其中,在终端区内,第一掺杂类型的漂移区上方设置有场氧化层(14),终端区内的柱区(31)与所述场氧化层(14)接触。