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切割设备、切割方法以及切单系统

申请号: CN202311750172.6
申请人: 苏州镭明激光科技有限公司
申请日期: 2023/12/19

摘要文本

本发明公开了一种切割设备、切割方法以及切单系统,属于半导体封装技术领域,其包括用于对晶圆切割的激光加工装置,激光加工装置包括:第一激光加工机构,包括可发出第一激光的第一光源和设置在第一光源出射端的第一光路系统,第一光路系统适于引导第一激光射向晶圆;第二激光加工机构,包括可发出第二激光的第二光源和设置在第二光源出射端的第二光路系统,第二光路系统适于引导第二激光射向晶圆;晶圆包括介质层和基底,第一激光适于切割介质层,第二激光适于经介质层的切割区域对基底进行切割。本发明相较传统的单一激光划片,能够有效避免介质层和基底在切割道处黏连,提高成品率,且也能够极大程度提高切割质量。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 切割设备、切割方法以及切单系统
专利类型 发明申请
申请号 CN202311750172.6
申请日 2023/12/19
公告号 CN117415479A
公开日 2024/1/19
IPC主分类号 B23K26/38
权利人 苏州镭明激光科技有限公司
发明人 施心星; 李坤; 张飞飞; 严长明
地址 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区04幢102室

专利主权项内容

1.一种切割设备,包括用于对晶圆(100)切割的激光加工装置(200),其特征在于,所述激光加工装置(200)包括:第一激光加工机构(210),包括可发出第一激光的第一光源(211)和设置在所述第一光源(211)出射端的第一光路系统,所述第一光路系统适于引导所述第一激光射向所述晶圆(100);第二激光加工机构(220),包括可发出第二激光的第二光源(221)和设置在所述第二光源(221)出射端的第二光路系统,所述第二光路系统适于引导所述第二激光射向所述晶圆(100);其中,所述晶圆(100)包括介质层(110)和基底(120),所述第一激光适于切割所述介质层(110),所述第二激光适于经所述介质层(110)的切割区域对所述基底(120)进行切割。