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一种样品二次电子产额测试方法

申请号: CN202311684380.0
申请人: 屹东光学技术(苏州)有限公司
申请日期: 2023/12/8

摘要文本

本发明提供一种样品二次电子产额测试方法,由于电子束打在样品表面除了会激发出二次电子外,还会产生大量背散射电子,本发明利用扫描电镜的镜筒内探测器收集材料的二次电子与背散射电子产生的总电压值,再对样品加金属栅网探测背散射电子的电压值,二者之差即得二次电子的电压值。通过标准样品的二次电子产额进行标定,推导待测样品的二次电子产额。该方法简单易操作,能够排除掉背散射电子的影响,能够实现样品二次电子产额的高效测试,不需要法拉第杯等额外系统装置。。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种样品二次电子产额测试方法
专利类型 发明申请
申请号 CN202311684380.0
申请日 2023/12/8
公告号 CN117517373A
公开日 2024/2/6
IPC主分类号 G01N23/2251
权利人 屹东光学技术(苏州)有限公司
发明人 顾江丽; 贾晨; 余雷; 尉东光
地址 江苏省苏州市科灵路88号15幢

专利主权项内容

1.一种样品二次电子产额测试方法,其特征在于,包括以下步骤:使用扫描电子显微镜镜筒内探测器分别测试不同加速电压下待测样品与标准样品打出的二次电子的电压值;其中,所述待测样品与所述标准样品同时放置在扫描电子显微镜中,所述待测样品与所述标准样品的测试条件相同;计算相同时间段内待测样品与标准样品的电压值的积分,分别得到待测样品的总电压值积分V与标准样品的总电压值积分V;测总标总在待测样品与标准样品表面加金属栅网后,相同测试条件下,使用扫描电子显微镜镜筒内探测器分别测试不同加速电压下待测样品与标准样品的新电压值;其中,金属栅网通有预设电压使二次电子无法通过;计算相同时间段内待测样品与标准样品的新电压值的积分,分别得到待测样品的电压值积分V与标准样品背散射电子的电压值积分V;测BSE标BSE计算待测样品与标准样品的总电压值积分与背散射电子的电压值积分的差值,得到当前加速电压下样品的二次电子电压值积分,计算公式为:V=V-V测测总测BSEV=V-V;标标总标BSE通过标准样品的二次电子产额数据与测得的二次电子电压值积分,推导出待测样品的二次电子产额。