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沟槽式半导体存储器件及其制备方法
摘要文本
本发明提供一种沟槽式半导体存储器件及其制备方法，制备方法包括：在基底中形成沟槽；在沟槽的侧壁形成隔离侧墙，隔离侧墙为氮化硅材质；在沟槽的底部和隔离侧墙表面形成第一电极存储介质层和第二电极。本发明一方面氮化硅材质的隔离侧墙可以隔离沟槽侧壁和第一电极，避免侧壁氧化层中游离的氧进入第一电极而造成电极氧化，从而保证和提高第一电极的电性能和结构稳定性；另一方面，氮化硅材质的隔离侧墙可以隔绝氧化层中氧或者其他杂质穿过第一电极进入存储介质层的问题，提高存储介质层性质的稳定性，保证存储介质层的性能。同时本发明通过存储介质层自然隔离电容的第一电极和第二电极，可以有效降低工艺困难度，大大提高产品的良率。。来源：马 克 团 队
申请人信息
- 申请人:行至存储科技(苏州)有限公司
- 申请人地址:215028 江苏省苏州市中国(江苏)自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区3幢310-15工位(集群登记)
- 发明人: 行至存储科技(苏州)有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 沟槽式半导体存储器件及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202311707432.1 |
| 申请日 | 2023/12/13 |
| 公告号 | CN117412605B |
| 公开日 | 2024/3/26 |
| IPC主分类号 | H10B53/30 |
| 权利人 | 行至存储科技(苏州)有限公司 |
| 发明人 | 王明; 杨震 |
| 地址 | 江苏省苏州市中国(江苏)自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区3幢310-15工位(集群登记) |
专利主权项内容
1.一种沟槽式半导体存储器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供一基底，在所述基底中形成沟槽；在所述沟槽的侧壁形成隔离侧墙，所述隔离侧墙为氮化硅材质；在所述沟槽的底部和所述隔离侧墙表面形成第一电极，在所述第一电极上依次形成存储介质层和第二电极；形成所述第一电极、储存介质层和第二电极包括：在所述沟槽的底部和所述隔离侧墙表面形成第一电极；去除所述沟槽上部的第一电极，使所述第一电极的顶部低于所述沟槽的顶部，以显露所述沟槽顶部的隔离侧墙；在所述第一电极上形成存储介质层，所述存储介质层与所述沟槽顶部显露的隔离侧墙配合以封闭所述第一电极，保证所述第一电极与所述第二电极的电隔离；在所述存储介质层上形成第二电极。