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选区外延生长方法及其中使用的掩膜结构
摘要文本
本发明提供了一种选区外延生长方法及其中使用的掩膜结构，涉及半导体激光器的技术领域，选区外延生长方法括：步骤S1.提供一外延片；步骤S2.在外延片上形成一次外延层；步骤S3.在一次外延层上制备掩膜层；或者，先制备掩膜层，再将掩膜层设置于一次外延层上；其中，掩膜层的制备包括步骤：步骤S31.提供一层体；步骤S32.在层体上形成贯通其上下表面的选区刻蚀通道；步骤S33.在层体的上表面形成向下延伸的收集槽；收集槽位于选区刻蚀通道的周向外侧，且收集槽的深度小于掩膜层的厚度；步骤S4.利用带有收集槽的掩膜层形成二次外延层。
申请人信息
- 申请人:度亘核芯光电技术(苏州)有限公司
- 申请人地址:215000 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号东北区32幢
- 发明人: 度亘核芯光电技术(苏州)有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 选区外延生长方法及其中使用的掩膜结构 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202311666753.1 |
| 申请日 | 2023/12/7 |
| 公告号 | CN117364235B |
| 公开日 | 2024/3/26 |
| IPC主分类号 | C30B25/04 |
| 权利人 | 度亘核芯光电技术(苏州)有限公司 |
| 发明人 | 吴文俊; 赵勇明; 杨国文; 惠利省; 赵卫东 |
| 地址 | 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号东北区32幢 |
专利主权项内容
1.一种选区外延生长方法，其特征在于，包括：步骤S1.提供一外延片(1)；步骤S2.在所述外延片(1)上形成一次外延层(2)；步骤S3.在所述一次外延层(2)上制备掩膜层；或者，先制备掩膜层，再将所述掩膜层设置于一次外延层(2)上；其中，所述掩膜层的制备包括步骤：步骤S31.提供一层体(3)；步骤S32.在所述层体(3)上形成贯通其上下表面的选区刻蚀通道(31)；步骤S33.在所述层体(3)的上表面形成向下延伸的收集槽(34)；所述收集槽(34)位于所述选区刻蚀通道(31)的周向外侧，且所述收集槽(34)的深度小于掩膜层的厚度；步骤S4.利用带有所述收集槽(34)的所述掩膜层形成二次外延层(4)，原本通过横向迁移至选区边缘并滑落到选区刻蚀通道(31)的原子被收集到收集槽(34)内。