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半导体结构及其制备方法
摘要文本
本申请提供一种半导体结构及其制备方法。该制备方法包括：提供形成有阴极的外延结构；在外延结构和所述阴极上形成介质层；去除部分介质层和与该部分介质层对应的预定厚度的外延结构，以形成中断所述外延结构中的二维电子气的阳极凹槽；在阳极凹槽的表面和与阳极凹槽的表面连接的介质层的表面形成阳极；至少去除介质层顶面的阳极。上述半导体结构的制备方法，可有效减少或消除阳极与二维电子气的交叠，进而减少或消除由二者交叠产生的寄生电容，提升器件性能。
申请人信息
- 申请人:苏州摩尔镓芯半导体科技有限公司
- 申请人地址:215000 江苏省苏州市自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城38号楼4-8
- 发明人: 苏州摩尔镓芯半导体科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 半导体结构及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311605037.2 |
| 申请日 | 2023/11/28 |
| 公告号 | CN117438303A |
| 公开日 | 2024/1/23 |
| IPC主分类号 | H01L21/329 |
| 权利人 | 苏州摩尔镓芯半导体科技有限公司 |
| 发明人 | 霍树栋; 高云云 |
| 地址 | 江苏省苏州市自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城38号楼4-8 |
专利主权项内容
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：提供形成有阴极的外延结构；在所述外延结构和所述阴极上形成介质层；去除部分介质层和与该部分介质层对应的预定厚度的外延结构，以形成中断所述外延结构中的二维电子气的阳极凹槽；在所述阳极凹槽的表面和与所述阳极凹槽的表面连接的介质层的表面形成阳极；至少去除所述介质层顶面的阳极。