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钝化膜结构及形成方法
摘要文本
本发明提供了一种钝化膜结构及形成方法，涉及激光器的技术领域，本发明提供的钝化膜结构包括：依次设置的第一硅层、氢化硅层和第二硅层，所述第一硅层设置在腔面上；所述氢化硅层设置在第一硅层远离腔面的一侧；所述第二硅层设置在所述氢化硅层远离腔面的一侧。本实施例中的钝化膜结构为复合结构，可以由硅‑氢化硅‑硅形成，由于与腔面直接连接的是第一硅层，因此可以防止氢化硅中的氢原子进入到衬底内，影响芯片性能。并且，由于增加了氢化硅层，可以避免纯硅膜对红外光的吸收。由于第一硅层设置在腔面和氢化硅层之间，可以提高钝化膜结构与腔面的粘附性。 来源：专利查询网
申请人信息
- 申请人:度亘核芯光电技术(苏州)有限公司
- 申请人地址:215000 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号东北区32幢
- 发明人: 度亘核芯光电技术(苏州)有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 钝化膜结构及形成方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202311361065.4 |
| 申请日 | 2023/10/20 |
| 公告号 | CN117096723B |
| 公开日 | 2024/2/6 |
| IPC主分类号 | H01S5/028 |
| 权利人 | 度亘核芯光电技术(苏州)有限公司 |
| 发明人 | 魏文超; 徐荣靖; 郑志川; 刘中华; 李颖; 杨国文 |
| 地址 | 江苏省苏州市自由贸易试验区苏州片区金鸡湖大道99号东北区32幢 |
专利主权项内容
1.一种钝化膜结构，其特征在于，所述钝化膜结构应用于出射红外光的激光器，包括：第一硅层(1)，所述第一硅层(1)设置在腔面上，且与腔面直接接触连接；氢化硅层(2)，所述氢化硅层(2)设置在第一硅层(1)远离腔面的一侧；第二硅层(3)，所述第二硅层(3)设置在所述氢化硅层(2)远离腔面的一侧；所述氢化硅层(2)的折射率的取值范围为2.8-3.3，所述氢化硅层(2)在600nm -900nm波段之后吸收截止。