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一种可弯曲且具有高光电转换效率的硅异质结太阳能电池及其制法

申请号: CN202311478687.5
申请人: 江苏科技大学
申请日期: 2023/11/8

摘要文本

本发明公开了一种可弯曲且具有高光电转换效率的硅异质结太阳能电池,包括硅基底层;在硅基底层正面依次沉积有氢化非晶硅氧层、氢化非晶硅层、n型氢化纳米晶硅氧层和透明导电氧化物层;在硅基底层背面依次沉积有氢化非晶硅氧层、氢化非晶硅层、p型氢化纳米晶硅层和透明导电氧化物层;在透明导电氧化物层上印刷有金属电极。本发明还公开了上述硅异质结太阳能电池的制备方法,具体为:对硅基底层进行减薄、制绒处理;在硅基底层上连续沉积氢化非晶硅氧层和氢化非晶硅层,形成钝化层;利用二氧化碳和氢气混合气体在两侧钝化层上进行等离子体预处理,实现钝化层浅表面的纳米晶播种;在经过纳米晶播种的正面钝化层上垂直生长掺磷的n型纳米晶硅氧层;在经过纳米晶播种的背面钝化层上垂直生长掺硼的p型纳米晶硅层;沉积铈掺杂氧化铟作为透明导电氧化物层,再在透明导电氧化物层上印刷金属电极。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种可弯曲且具有高光电转换效率的硅异质结太阳能电池及其制法
专利类型 发明申请
申请号 CN202311478687.5
申请日 2023/11/8
公告号 CN117766640A
公开日 2024/3/26
IPC主分类号 H01L31/20
权利人 江苏科技大学
发明人 李阳; 郑雨荷; 吴佳婷
地址 江苏省镇江市京口区梦溪路2号

专利主权项内容

1.一种可弯曲且具有高光电转换效率的硅异质结太阳能电池,其特征在于:包括硅基底层(1);在硅基底层(1)正面依次沉积有氢化非晶硅氧层(2)、氢化非晶硅层(3)、n型氢化纳米晶硅氧层(4)和透明导电氧化物层(6);在硅基底层(1)背面依次沉积有氢化非晶硅氧层(2)、氢化非晶硅层(3)、p型氢化纳米晶硅层(5)和透明导电氧化物层(6);在透明导电氧化物层(6)上印刷有金属电极(7)。