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发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管
摘要文本
本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，所述发光二极管外延片包括衬底及依次沉积在所述衬底上的N型半导体层、低温应力释放层、多量子阱发光层、第一电子阻挡层、第一P型半导体层、第二电子阻挡层、第二P型半导体层和P型欧姆接触层；所述第一电子阻挡层包括依次层叠的AlGaN层、AlN层、AlInGaN层、AlN层和AlGaN层；所述第二电子阻挡层为AlGaN/InGaN超晶格结构。本发明可提高P型材料的空穴注入效率并改善多量子阱发光层中的电子空穴匹配度，同时有利于半导体材料中V形坑的合并，提高外延质量，从而提高LED器件性能。
申请人信息
- 申请人:江西兆驰半导体有限公司
- 申请人地址:330000 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号
- 发明人: 江西兆驰半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202311827764.3 |
| 申请日 | 2023/12/28 |
| 公告号 | CN117476834B |
| 公开日 | 2024/3/22 |
| IPC主分类号 | H01L33/14 |
| 权利人 | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 发明人 | 舒俊; 程龙; 高虹; 郑文杰; 印从飞; 张彩霞; 刘春杨; 胡加辉; 金从龙 |
| 地址 | 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号 |
专利主权项内容
1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底及依次沉积在所述衬底上的N型半导体层、低温应力释放层、多量子阱发光层、第一电子阻挡层、第一P型半导体层、第二电子阻挡层、第二P型半导体层和P型欧姆接触层；所述第一电子阻挡层包括依次层叠的第一AlGaN层、第一AlN层、第一AlInGaN层、第二AlN层和第二AlGaN层；所述第二电子阻挡层为AlGaN/InGaN超晶格结构；所述第一P型半导体层为第二AlInGaN层，所述第二P型半导体层为第一GaN层；所述第一AlGaN层的Al组分占比为0.4~0.8，厚度为2nm~20nm；所述第一AlN层的厚度为2nm~20nm；所述第一AlInGaN层的Al组分占比为0.4~0.8，In组分占比为0.02~0.05，厚度为5nm~30nm；所述第二AlN层的厚度为2nm~20nm；所述第二AlGaN层的Al组分占比为0.4~0.8，厚度为2nm~20nm。