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一种倒装发光二极管芯片及其制备方法

申请号: CN202311695378.3
申请人: 江西兆驰半导体有限公司
申请日期: 2023/12/12

摘要文本

本发明涉及半导体器件领域,尤其涉及一种倒装发光二极管芯片及其制备方法,该倒装发光二极管芯片包括衬底以及在所述衬底上依次设置的外延层、连接层、绝缘层和焊盘层。通过先进行匀胶、曝光、显影形成一两端梯形开口,然后利用第一电子束蒸镀工艺蒸镀反射镜层金属,接着进行第二次显影,然后利用第二电子束蒸镀工艺蒸镀反射镜保护层金属,然后利用金属剥离工艺同时去除掉不需要的反射镜金属和反射镜保护层金属,由此只需要光刻一次,金属剥离一次,且通过反射镜保护层对反射镜层进行包覆,由此可防止剥离不需要的反射镜层时造成需要留在底材上的反射镜层也被剥离掉。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种倒装发光二极管芯片及其制备方法
专利类型 发明申请
申请号 CN202311695378.3
申请日 2023/12/12
公告号 CN117393680A
公开日 2024/1/12
IPC主分类号 H01L33/44
权利人 江西兆驰半导体有限公司
发明人 李文涛; 鲁洋; 林潇雄; 胡加辉; 金从龙
地址 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号

专利主权项内容

1.一种倒装发光二极管芯片,其特征在于,包括衬底以及在所述衬底上依次设置的外延层、连接层、绝缘层和焊盘层,所述连接层包括设置在所述外延层上的反射镜层以及在所述反射镜层与所述外延层上设置的反射镜保护层,所述反射镜保护层将所述反射镜层完全包覆,所述外延层上设有贯穿孔,所述贯穿孔内设有电极层,所述绝缘层上开设有多个通孔,所述焊盘层通过所述通孔与所述反射镜保护层和电极层电性连接;所述反射镜保护层由靠近所述反射镜层的第一子层和背离所述反射镜层的第二子层组成,所述第一子层包括周期性依次层叠的第一金属层及第二金属层,所述第二子层包括周期性依次层叠的第三金属层及第二金属层,所述第一子层单个周期中第一金属层与第二金属层的厚度比例从靠近所述反射镜层到背离所述反射镜层线性降低,所述第二子层单个周期中第三金属层与第二金属层的厚度比例从靠近所述反射镜层到背离所述反射镜层线性降低。