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一种倒装发光二极管芯片的制备方法及发光二极管芯片
摘要文本
本发明提供一种倒装发光二极管芯片的制备方法及发光二极管芯片，所述制备方法包括提供一衬底，在所述衬底沉积半导体层；利用第一制备工艺在所述半导体层上沉积第一承载层，利用第二制备工艺在所述第一承载层上沉积第二承载层，利用第三制备工艺在所述第二承载层上沉积第三承载层，以使所述第一承载层、所述第二承载层及所述第三承载层共同构成防脱落层；利用腐蚀工艺腐蚀部分所述防脱落层直至暴露部分所述半导体层，以在所述防脱落层形成多个防脱落通孔，其中，在所述第一承载层的防脱落通孔的尺寸由靠近所述第二承载层自远离所述第二承载层的方向依次增大，解决银反射镜容易脱落的问题，提升倒装发光二极管芯片的良率。
申请人信息
- 申请人:江西兆驰半导体有限公司
- 申请人地址:330000 江西省南昌市高新技术产业开发区天祥北大道1717号
- 发明人: 江西兆驰半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种倒装发光二极管芯片的制备方法及发光二极管芯片 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311695382.X |
| 申请日 | 2023/12/12 |
| 公告号 | CN117393681A |
| 公开日 | 2024/1/12 |
| IPC主分类号 | H01L33/44 |
| 权利人 | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 发明人 | 李文涛; 鲁洋; 林潇雄; 胡加辉; 金从龙 |
| 地址 | 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号 |
专利主权项内容
1.一种倒装发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供一衬底，在所述衬底沉积半导体层；利用第一制备工艺在所述半导体层上沉积第一承载层，利用第二制备工艺在所述第一承载层上沉积第二承载层，利用第三制备工艺在所述第二承载层上沉积第三承载层，以使所述第一承载层、所述第二承载层及所述第三承载层共同构成防脱落层；去除部分所述防脱落层直至暴露部分所述半导体层，以在所述防脱落层形成多个防脱落通孔，且所述防脱落通孔分别形成在所述第一承载层、所述第二承载层及所述第三承载层上，其中，在所述第一承载层的防脱落通孔的尺寸由靠近所述第二承载层自远离所述第二承载层的方向依次增大，在所述第三承载层的防脱落通孔的尺寸由靠近所述第二承载层自远离所述第二承载层的方向依次增大；在靠近所述防脱落通孔的所述防脱落层上及所述防脱落通孔内蒸镀银反射镜层，在所述银反射镜层依次沉积绝缘层及焊盘层。 关注公众号马 克 数 据 网