一种LED外延片及其制备方法
摘要文本
本发明公开了一种LED外延片及其制备方法，LED外延片包括多阶P型电子阻挡层，具体包括依次层叠的第一阶电子阻挡层、第二阶电子阻挡层、第三阶电子阻挡层、第四阶电子阻挡层；第一阶电子阻挡层为交替层叠的AlN层和GaN层组成的超晶格结构；第二阶电子阻挡层为交替层叠的第一AlGaN层和第一Mg掺GaN层组成的超晶格结构；第三阶电子阻挡层为交替层叠的第二AlGaN层和第一Mg掺InGaN层组成的超晶格结构；第四阶电子阻挡层为交替层叠的第二Mg掺GaN层和第二Mg掺InGaN层组成的超晶格结构。该LED外延片能提高P型材料空穴注入效率和改善有源区中的电子空穴匹配度，进而提高发光效率。
申请人信息
- 申请人:江西兆驰半导体有限公司
- 申请人地址:330000 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号
- 发明人: 江西兆驰半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种LED外延片及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202311715190.0 |
| 申请日 | 2023/12/14 |
| 公告号 | CN117410413B |
| 公开日 | 2024/3/8 |
| IPC主分类号 | H01L33/14 |
| 权利人 | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 发明人 | 舒俊; 程龙; 高虹; 郑文杰; 印从飞; 张彩霞; 刘春杨; 胡加辉; 金从龙 |
| 地址 | 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号 |
专利主权项内容
1.一种LED外延片，包括衬底，其特征在于，还包括在所述衬底上依次层叠设置的缓冲层、N型半导体层、低温应力释放层、多量子阱发光层、多阶P型电子阻挡层、P型半导体层，其中，所述多阶P型电子阻挡层包括依次层叠于所述多量子阱发光层的第一阶电子阻挡层、第二阶电子阻挡层、第三阶电子阻挡层、第四阶电子阻挡层；所述第一阶电子阻挡层为交替层叠的AlN层和GaN层组成的超晶格结构；所述第二阶电子阻挡层为交替层叠的第一AlGaN层和第一Mg掺GaN层组成的超晶格结构；所述第三阶电子阻挡层为交替层叠的第二AlGaN层和第一Mg掺InGaN层组成的超晶格结构；所述第四阶电子阻挡层为交替层叠的第二Mg掺GaN层和第二Mg掺InGaN层组成的超晶格结构；所述第一AlGaN层中的Al组分为0.4~0.8；所述第一Mg掺GaN层中的Mg的掺杂浓度为3×10/cm~8×10/cm；183183所述第二AlGaN层中的Al组分为0.2~0.6；所述第一Mg掺InGaN层中的In组分为0.03~0.09，Mg的掺杂浓度为8×10/cm~1.2×10/cm；183193所述第二Mg掺GaN层中的Mg的掺杂浓度为1.2×10/cm~5×10/cm；所述第二Mg掺InGaN层中的In组分为0.09~0.15，所述Mg的掺杂浓度为1.2×10/cm~5×10/cm。193193193193