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发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管
摘要文本
本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。发光二极管外延片包括衬底和依次设于所述衬底上的AlN缓冲层、本征GaN层、N型GaN层、复合应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层和欧姆接触层，所述复合应力释放层为周期性结构，周期数为2~10，每个周期均包括依次层叠的InGaN层、InN层、低温GaN层、高温GaN层和Si掺InGaN层。实施本发明，可提升发光二极管的发光效率、提高抗静电能力、降低工作电压。
申请人信息
- 申请人:江西兆驰半导体有限公司
- 申请人地址:330000 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号
- 发明人: 江西兆驰半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202311676293.0 |
| 申请日 | 2023/12/8 |
| 公告号 | CN117393671B |
| 公开日 | 2024/3/8 |
| IPC主分类号 | H01L33/12 |
| 权利人 | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 发明人 | 印从飞; 张彩霞; 刘春杨; 胡加辉; 金从龙 |
| 地址 | 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号 |
专利主权项内容
1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底和依次设于所述衬底上的AlN缓冲层、本征GaN层、N型GaN层、复合应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层和欧姆接触层，所述复合应力释放层为周期性结构，周期数为2~10，每个周期的复合应力释放层均包括依次层叠的InGaN层、InN层、低温GaN层、高温GaN层和Si掺InGaN层；所述多量子阱层为周期性结构，周期数为6~15，每个周期的多量子阱层均包括依次层叠的InGaN量子阱层、GaN盖层和Si掺GaN量子垒层；其中，所述InGaN层中In组分的占比为0.08~0.2，且由第一个周期至最后一个周期逐渐增加，在单个周期中保持不变；所述Si掺InGaN层中In组分的占比＜0.1；所述InGaN层中In组分的占比＞所述Si掺InGaN层中In组分的占比；所述Si掺InGaN层中Si组分的掺杂浓度为1×10cm~1×10cm，且沿外延生长方向，Si的掺杂浓度在单个周期中先逐渐增加再逐渐减小；17-318-3所述低温GaN层的生长温度为750℃~800℃；所述高温GaN层的生长温度为800℃~830℃。