发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管
摘要文本
本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。多量子阱层为周期性结构，周期数为6~10，每个周期均包括依次层叠的副阱层、副垒层、量子阱层、复合盖层和量子垒层；副阱层包括依次层叠的InaGa1‑aN层和InN层，副垒层包括GaN层，量子阱层包括InbGa1‑bN层，复合盖层包括依次层叠的第一GaN层、第二GaN层和第三GaN层，量子垒层包括Si掺GaN层。实施本发明可提升发光二极管的发光效率和抗静电能力，降低工作电压。
申请人信息
- 申请人:江西兆驰半导体有限公司
- 申请人地址:330000 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号
- 发明人: 江西兆驰半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202311787246.3 |
| 申请日 | 2023/12/25 |
| 公告号 | CN117497655B |
| 公开日 | 2024/3/22 |
| IPC主分类号 | H01L33/06 |
| 权利人 | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 发明人 | 印从飞; 张彩霞; 刘春杨; 胡加辉; 金从龙 |
| 地址 | 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号 |
专利主权项内容
1.一种发光二极管外延片，包括衬底和依次设于所述衬底上的缓冲层、本征GaN层、N型GaN层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层和欧姆接触层，其特征在于，所述多量子阱层为周期性结构，周期数为6~10，每个周期均包括依次层叠的副阱层、副垒层、量子阱层、复合盖层和量子垒层；所述副阱层包括依次层叠的InGaN层和InN层，所述副垒层包括GaN层，所述量子阱层包括InGaN层，所述复合盖层包括依次层叠的第一GaN层、第二GaN层和第三GaN层，所述量子垒层包括Si掺GaN层；a1-ab1-b其中，a＜b；所述量子阱层的生长温度为680℃~770℃，生长压力为100torr~200torr，所述第一GaN层的生长温度为680℃~750℃，生长压力为100torr~150torr，所述第二GaN层的生长温度为680℃~750℃，生长压力为150torr~200torr，所述第三GaN层的生长温度为740℃~820℃，生长压力为150torr~200torr；所述第一GaN层的生长温度≤所述第二GaN层的生长温度＜所述第三GaN层的生长温度；所述第一GaN层的生长压力＜所述第二GaN层的生长压力≤所述第三GaN层的生长压力；所述副垒层的生长温度＞所述副阱层的生长温度，所述副垒层的生长温度＞所述量子阱层的生长温度。