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一种低接触电阻的发光二极管的外延片及其制备方法
摘要文本
本发明公开了一种低接触电阻的发光二极管的外延片及其制备方法，包括衬底，在所述衬底上依次层叠设置的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层和复合P型接触层，其中，所述复合P型接触层包含依次设置于所述P型GaN层上的P‑AlGaN层、非掺AlGaN层、N‑GaN层和石墨烯层。实施本发明，利于降低发光二极管与电极的接触电阻，提高发光二极管的出光效率，提升发光二极管的发光效率。
申请人信息
- 申请人:江西兆驰半导体有限公司
- 申请人地址:330000 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号
- 发明人: 江西兆驰半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种低接触电阻的发光二极管的外延片及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311787245.9 |
| 申请日 | 2023/12/25 |
| 公告号 | CN117476827A |
| 公开日 | 2024/1/30 |
| IPC主分类号 | H01L33/02 |
| 权利人 | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 发明人 | 程龙; 郑文杰; 高虹; 刘春杨; 胡加辉; 金从龙 |
| 地址 | 江西省南昌市高新技术产业开发区天祥北大道1717号 |
专利主权项内容
1.一种低接触电阻的发光二极管的外延片，包括衬底，其特征在于，还包括在所述衬底上依次层叠设置的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层和复合P型接触层，其中，所述复合P型接触层包含依次设置于所述P型GaN层上的P-AlGaN层、非掺AlGaN层、N-GaN层和石墨烯层。