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一种发光二极管外延片及其制备方法
摘要文本
本发明提供一种发光二极管外延片及其制备方法，外延片包括：包括衬底及于衬底的结构层及复合P型接触层，复合P型接触层包括依次设置的InxGa1‑xN层、掺杂Mg的第一P型接触层、掺杂Mg的第二P型接触层及掺杂Mg的第三P型接触层，InxGa1‑xN层上开设若干个凹孔，第一P型接触层为InyGa1‑yN层，第二P型接触层为二维AlN层，第三P型接触层为BjInkGa1‑j‑kN层。通过设置凹孔，形成粗糙结构，降低对光的吸收；InyGa1‑yN层中In能有效降低Mg的激活能，提高活化Mg浓度，降低接触电阻；二维AlN层覆盖在第一P型接触层上形成一个平整的二维平面，改善电流分布的均匀性；有效提高出光效率。 来自：马 克 团 队
申请人信息
- 申请人:江西兆驰半导体有限公司
- 申请人地址:330000 江西省南昌市高新技术产业开发区天祥北大道1717号
- 发明人: 江西兆驰半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种发光二极管外延片及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202311787210.5 |
| 申请日 | 2023/12/25 |
| 公告号 | CN117457824B |
| 公开日 | 2024/3/12 |
| IPC主分类号 | H01L33/22 |
| 权利人 | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 发明人 | 程龙; 郑文杰; 高虹; 刘春杨; 胡加辉; 金从龙 |
| 地址 | 江西省南昌市高新技术产业开发区天祥北大道1717号 |
专利主权项内容
1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底及于所述衬底自下而上设置的结构层及复合P型接触层，所述复合P型接触层包括自下而上依次设置的InGaN层、第一P型接触层、第二P型接触层及第三P型接触层，所述InGaN层上开设若干个凹孔，所述第一P型接触层为InGaN层，所述第二P型接触层为二维AlN层，所述第三P型接触层为BInGaN层，所述第一P型接触层、所述第二P型接触层及所述第三P型接触层的掺杂元素均为Mg。x1-xx1-xy1-yjk1-j-k