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Micro-LED外延片及其制备方法、Micro-LED
摘要文本
本发明公开了一种Micro‑LED外延片及其制备方法、Micro‑LED，所述Micro‑LED外延片包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、N型半导体层、应力释放层、多量子阱发光层、电子阻挡层、P型半导体层；所述多量子阱发光层包括阱前蓝光多量子阱层、阱前青光多量子阱层、绿光多量子阱层、阱后青光多量子阱层、阱后蓝光多量子阱层。本发明提供的Micro‑LED外延片能够改善多量子阱发光层的质量，同时将电子局限在多量子阱发光层中发生辐射复合产生光子，从而提高Micro‑LED低工作电流密度的光效、发光均匀性、良率等性能。
申请人信息
- 申请人:江西兆驰半导体有限公司
- 申请人地址:330000 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号
- 发明人: 江西兆驰半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | Micro-LED外延片及其制备方法、Micro-LED |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202311764739.5 |
| 申请日 | 2023/12/21 |
| 公告号 | CN117457821B |
| 公开日 | 2024/3/8 |
| IPC主分类号 | H01L33/08 |
| 权利人 | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 发明人 | 舒俊; 程龙; 高虹; 郑文杰; 印从飞; 张彩霞; 刘春杨; 胡加辉; 金从龙 |
| 地址 | 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号 |
专利主权项内容
1.一种Micro-LED外延片，其特征在于，包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、N型半导体层、应力释放层、多量子阱发光层、电子阻挡层、P型半导体层；所述多量子阱发光层包括阱前蓝光多量子阱层、阱前青光多量子阱层、绿光多量子阱层、阱后青光多量子阱层、阱后蓝光多量子阱层；所述阱前蓝光多量子阱层包括交替层叠的蓝光InGaN层和蓝光Si掺杂GaN层；所述蓝光InGaN层为经H气体预处理的蓝光InGaN层；2所述阱前青光多量子阱层包括交替层叠的青光InGaN层和青光Si掺杂GaN层；所述青光InGaN层为经重结晶处理的青光InGaN层；所述绿光多量子阱层包括交替层叠的绿光InGaN层和绿光Si掺杂GaN层；所述阱后青光多量子阱层包括依次层叠的青光未掺杂InGaN层和末量子垒层；所述青光未掺杂InGaN层为经重结晶处理的青光未掺杂InGaN层；所述阱后蓝光多量子阱层包括依次层叠的蓝光镁掺杂InGaN层和末量子垒层；所述蓝光镁掺杂InGaN层为经H气体预处理的蓝光镁掺杂InGaN层；2所述末量子垒层包括依次层叠的第一GaN层、AlGaN层和第二GaN层。