紫外发光二极管外延片及其制备方法、紫外发光二极管

摘要文本

微信公众号马克 数据网 本发明公开了一种紫外发光二极管外延片及其制备方法、紫外发光二极管，涉及半导体光电器件领域。其中，紫外发光二极管外延片依次包括衬底、缓冲层、非掺杂AlGaN层、N型AlGaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型AlGaN层；所述多量子阱层包括交替层叠的量子阱层和量子垒层；所述量子阱层包括依次层叠的Mg掺AlwGa1‑wN层、超晶格层和Mg掺AlxGa1‑xN层；所述量子垒层包括依次层叠的BαGa1‑αN层、AlγGa1‑γN层和BβGa1‑βN层；所述超晶格层为周期性结构，周期数为2~6，每个周期均包括依次层叠的AlyGa1‑yN层和InzGa1‑zN层。实施本发明，可提升紫外发光二极管的发光效率。