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发光二极管外延片及其制备方法、LED
摘要文本
本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、LED，所述发光二极管外延片包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层；所述多量子阱层包括多个交替层叠的复合量子阱层和量子垒层，所述复合量子阱层包括依次层叠的C/Si共掺杂GaN层、氮极性GaN层、过渡InGaN层、InGaN层和InGaN/GaN盖帽层。本发明提供的发光二极管外延片能够降低多量子阱层极化效应，提高量子阱层晶体质量，提高多量子阱层的发光效率。
申请人信息
- 申请人:江西兆驰半导体有限公司
- 申请人地址:330000 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号
- 发明人: 江西兆驰半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 发光二极管外延片及其制备方法、LED |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202311705484.5 |
| 申请日 | 2023/12/13 |
| 公告号 | CN117393667B |
| 公开日 | 2024/3/12 |
| IPC主分类号 | H01L33/06 |
| 权利人 | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 发明人 | 程龙; 郑文杰; 高虹; 刘春杨; 胡加辉; 金从龙 |
| 地址 | 江西省南昌市高新技术产业开发区天祥北大道1717号 |
专利主权项内容
1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层；所述多量子阱层包括多个交替层叠的复合量子阱层和量子垒层，所述复合量子阱层包括依次层叠的C/Si共掺杂GaN层、氮极性GaN层、过渡InGaN层、InGaN层和InGaN/GaN盖帽层；所述C/Si共掺杂GaN层的C掺杂浓度为1×10atoms/cm~1×10atoms/cm；173183所述C/Si共掺杂GaN层的Si掺杂浓度为1×10atoms/cm~1×10atoms/cm；173183所述过渡InGaN层的In组分沿生长方向逐渐增大；所述氮极性GaN层由GaN层经氮化处理得到。