← 返回列表
一种图形化蓝宝石衬底及其制备方法
摘要文本
本发明公开了一种图形化蓝宝石衬底及其制备方法,图形化蓝宝石衬底的制备方法包括以下步骤:S100在蓝宝石衬底表面涂布光刻胶稀释剂,形成RRC膜;S200在蓝宝石衬底的RRC膜上涂布光刻胶,形成光刻胶膜,所述光刻胶膜的厚度沿衬底中心向衬底边缘方向减小;S300通过图形转印技术使蓝宝石衬底上的光刻胶膜形成光刻胶胶柱,所述光刻胶胶柱的高度沿衬底中心向衬底边缘方向减小;S400在光刻胶胶柱的保护下对蓝宝石衬底进行刻蚀,得到图形化蓝宝石衬底。本发明的制备方法能够提高图形化蓝宝石衬底的均匀性,从而提高芯片的整体质量。
申请人信息
- 申请人:江西兆驰半导体有限公司
- 申请人地址:330000 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号
- 发明人: 江西兆驰半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种图形化蓝宝石衬底及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311705497.2 |
| 申请日 | 2023/12/13 |
| 公告号 | CN117410168A |
| 公开日 | 2024/1/16 |
| IPC主分类号 | H01L21/02 |
| 权利人 | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 发明人 | 郭文凯; 田晓强; 崔思远; 文国昇; 金从龙 |
| 地址 | 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号 |
专利主权项内容
1.一种图形化蓝宝石衬底的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S100在蓝宝石衬底表面涂布光刻胶稀释剂,形成RRC膜;S200在蓝宝石衬底的RRC膜上涂布光刻胶,形成光刻胶膜,所述光刻胶膜的厚度沿衬底中心向衬底边缘方向减小;S300通过图形转印技术使蓝宝石衬底上的光刻胶膜形成光刻胶胶柱,所述光刻胶胶柱的高度沿衬底中心向衬底边缘方向减小;S400在光刻胶胶柱的保护下对蓝宝石衬底进行刻蚀,得到图形化蓝宝石衬底。